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产品规格

封装/外壳	TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
制造商	STMicroelectronics
安装类型	表面贴装
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
系列	MDmesh? K5
零件状态	在售
供应商器件封装	D2PAK
技术	MOSFET（金属氧化物）
Vgs（最大值）	±30V
不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）	22nC @ 10V
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）	445 毫欧 @ 6A，10V
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	10V
FET 类型	N 沟道
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）	12A（Tc）
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	620pF @ 100V
FET 功能	-
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	5V @ 100μA
功率耗散（最大值）	130W（Tc）
漏源电压（Vdss）	800V
关键词

产品资料

数据列表	Power Management Guide Brochure STB14N80K5
应用说明	Power MOSFET Avalanche Characteristics Paralleling of Pwr MOSFETs in PFC Topology Fishbone Diagram for Pwr Factor Correction Avalanche Issue: Comparing IAR,EAS Parameters
标准包装	1,000

封装/外壳 TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB  STMicroelectronics 封装/外壳 TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB  晶体管 - FET，MOSFET - 单 封装/外壳 TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB  STMicroelectronics 晶体管 - FET，MOSFET - 单 封装/外壳 TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB   制造商 STMicroelectronics  STMicroelectronics 制造商 STMicroelectronics  晶体管 - FET，MOSFET - 单 制造商 STMicroelectronics  STMicroelectronics 晶体管 - FET，MOSFET - 单 制造商 STMicroelectronics   安装类型 表面贴装  STMicroelectronics 安装类型 表面贴装  晶体管 - FET，MOSFET - 单 安装类型 表面贴装  STMicroelectronics 晶体管 - FET，MOSFET - 单 安装类型 表面贴装   工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  STMicroelectronics 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  STMicroelectronics 晶体管 - FET，MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）   系列 MDmesh? K5  STMicroelectronics 系列 MDmesh? K5  晶体管 - FET，MOSFET - 单 系列 MDmesh? K5  STMicroelectronics 晶体管 - FET，MOSFET - 单 系列 MDmesh? K5   零件状态 在售  STMicroelectronics 零件状态 在售  晶体管 - FET，MOSFET - 单 零件状态 在售  STMicroelectronics 晶体管 - FET，MOSFET - 单 零件状态 在售   供应商器件封装 D2PAK  STMicroelectronics 供应商器件封装 D2PAK  晶体管 - FET，MOSFET - 单 供应商器件封装 D2PAK  STMicroelectronics 晶体管 - FET，MOSFET - 单 供应商器件封装 D2PAK   技术 MOSFET（金属氧化物）  STMicroelectronics 技术 MOSFET（金属氧化物）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 技术 MOSFET（金属氧化物）  STMicroelectronics 晶体管 - FET，MOSFET - 单 技术 MOSFET（金属氧化物）   Vgs（最大值） ±30V  STMicroelectronics Vgs（最大值） ±30V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 Vgs（最大值） ±30V  STMicroelectronics 晶体管 - FET，MOSFET - 单 Vgs（最大值） ±30V   不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22nC @ 10V  STMicroelectronics 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22nC @ 10V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22nC @ 10V  STMicroelectronics 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22nC @ 10V   不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 445 毫欧 @ 6A，10V  STMicroelectronics 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 445 毫欧 @ 6A，10V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 445 毫欧 @ 6A，10V  STMicroelectronics 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 445 毫欧 @ 6A，10V   驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V  STMicroelectronics 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V  STMicroelectronics 晶体管 - FET，MOSFET - 单 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V   FET 类型 N 沟道  STMicroelectronics FET 类型 N 沟道  晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 类型 N 沟道  STMicroelectronics 晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 类型 N 沟道   电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Tc）  STMicroelectronics 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Tc）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Tc）  STMicroelectronics 晶体管 - FET，MOSFET - 单 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Tc）   不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 620pF @ 100V  STMicroelectronics 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 620pF @ 100V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 620pF @ 100V  STMicroelectronics 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 620pF @ 100V   FET 功能 -  STMicroelectronics FET 功能 -  晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 功能 -  STMicroelectronics 晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 功能 -   不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 5V @ 100μA  STMicroelectronics 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 5V @ 100μA  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 5V @ 100μA  STMicroelectronics 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 5V @ 100μA   功率耗散（最大值） 130W（Tc）  STMicroelectronics 功率耗散（最大值） 130W（Tc）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 功率耗散（最大值） 130W（Tc）  STMicroelectronics 晶体管 - FET，MOSFET - 单 功率耗散（最大值） 130W（Tc）   漏源电压（Vdss） 800V  STMicroelectronics 漏源电压（Vdss） 800V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 漏源电压（Vdss） 800V  STMicroelectronics 晶体管 - FET，MOSFET - 单 漏源电压（Vdss） 800V