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STB14N80K5 - 

MOSFET N-CH 800V 12A D2PAK

  • 非库存货
STMicroelectronics STB14N80K5
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商产品编号:
STB14N80K5
仓库库存编号:
STB14N80K5-ND
描述:
MOSFET N-CH 800V 12A D2PAK
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
表面贴装 N 沟道 12A(Tc) 130W(Tc) D2PAK
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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STB14N80K5产品属性


产品规格
  封装/外壳  TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB  
  制造商  STMicroelectronics  
  安装类型  表面贴装  
  工作温度  -55°C ~ 150°C(TJ)  
  系列  MDmesh? K5  
  零件状态  在售  
  供应商器件封装  D2PAK  
  技术  MOSFET(金属氧化物)  
  Vgs(最大值)  ±30V  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)  22nC @ 10V  
  不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)  445 毫欧 @ 6A,10V  
  驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)  10V  
  FET 类型  N 沟道  
  电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)  12A(Tc)  
  不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)  620pF @ 100V  
  FET 功能  -  
  不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)  5V @ 100μA  
  功率耗散(最大值)  130W(Tc)  
  漏源电压(Vdss)  800V  
关键词         

产品资料
数据列表 Power Management Guide Brochure
STB14N80K5
应用说明 Power MOSFET Avalanche Characteristics
Paralleling of Pwr MOSFETs in PFC Topology
Fishbone Diagram for Pwr Factor Correction
Avalanche Issue: Comparing IAR,EAS Parameters
标准包装 1,000

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