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STB6NK90ZT4 - 

MOSFET N-CH 900V 5.8A D2PAK

STMicroelectronics STB6NK90ZT4
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
STB6NK90ZT4
仓库库存编号：
497-6555-1-ND
描述：
MOSFET N-CH 900V 5.8A D2PAK
ROHS：
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）：
1（无限）
详细描述：
表面贴装 N 沟道 5.8A（Tc） 140W（Tc） D2PAK
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大，部分产品信息可能未能及时更新，下单前请与销售人员确认好实时在库数量，谢谢合作！

STB6NK90ZT4产品属性


产品规格
  封装/外壳  TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB  
  制造商  STMicroelectronics  
  安装类型  表面贴装  
  工作温度  -55°C ~ 150°C（TJ）  
  系列  SuperMESH??  
  包装  剪切带（CT）   
  零件状态  在售  
  供应商器件封装  D2PAK  
  技术  MOSFET（金属氧化物）  
  Vgs（最大值）  ±30V  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）  60.5nC @ 10V  
  不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）  2 欧姆 @ 2.9A，10V  
  驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）  10V  
  FET 类型  N 沟道  
  电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）  5.8A（Tc）  
  不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）  1350pF @ 25V  
  FET 功能  -  
  不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）  4.5V @ 100μA  
  功率耗散（最大值）  140W（Tc）  
  漏源电压（Vdss）  900V  
关键词         

产品资料
数据列表 ST(B,P,W)6NK90Z, STP6NK90ZFP
其它有关文件 STB6NK90Z View All Specifications
应用说明 The Alalanche Issue
Fishbone Diagram for Power Factor Correction
Paralleling of Power MOSFETS
AN2344 Appl Note
标准包装 1
其它名称 497-6555-1

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