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STB80NF55L-08-1
STB80NF55L-08-1 -
MOSFET N-CH 55V 80A I2PAK
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
STMicroelectronics
STMicroelectronics
制造商产品编号:
STB80NF55L-08-1
仓库库存编号:
497-12542-5-ND
描述:
MOSFET N-CH 55V 80A I2PAK
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
通孔 N 沟道 80A(Tc) 300W(Tc) I2PAK
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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STB80NF55L-08-1产品属性
产品规格
封装/外壳
TO-262-3,长引线,I2Pak,TO-262AA
制造商
STMicroelectronics
安装类型
通孔
工作温度
175°C(TJ)
系列
STripFET?? II
包装
管件
零件状态
在售
供应商器件封装
I2PAK
技术
MOSFET(金属氧化物)
Vgs(最大值)
±16V
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
100nC @ 4.5V
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
8 毫欧 @ 40A,10V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
5V,10V
FET 类型
N 沟道
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
80A(Tc)
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
4350pF @ 25V
FET 功能
-
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
2.5V @ 250μA
功率耗散(最大值)
300W(Tc)
漏源电压(Vdss)
55V
关键词
产品资料
数据列表
ST(B,P)80NF55L-08(-1)
其它有关文件
STB80NF55L-08-1 View All Specifications
标准包装
50
其它名称
497-12542-5
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安装类型 通孔
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