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STB8NM60T4
STB8NM60T4 -
MOSFET N-CH 650V 8A D2PAK
增值型包装数量有限,可提供替代形式的包装。
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
STMicroelectronics
STMicroelectronics
制造商产品编号:
STB8NM60T4
仓库库存编号:
497-5386-1-ND
描述:
MOSFET N-CH 650V 8A D2PAK
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
表面贴装 N 沟道 8A(Tc) 100W(Tc) D2PAK
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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STB8NM60T4产品属性
产品规格
封装/外壳
TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
制造商
STMicroelectronics
安装类型
表面贴装
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
系列
MDmesh??
包装
剪切带(CT)
零件状态
已不再提供
供应商器件封装
D2PAK
技术
MOSFET(金属氧化物)
Vgs(最大值)
±30V
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
18nC @ 10V
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
1 欧姆 @ 2.5A,10V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
FET 类型
N 沟道
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
8A(Tc)
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
400pF @ 25V
FET 功能
-
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
5V @ 250μA
功率耗散(最大值)
100W(Tc)
漏源电压(Vdss)
650V
关键词
产品资料
数据列表
STD5NM60, STB8NM60, STP8NM60
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标准包装
1
其它名称
497-5386-1
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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仓库库存编号:
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别名:497-2457-1
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