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产品规格

封装/外壳	8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽）
制造商	STMicroelectronics
安装类型	表面贴装
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
系列	STripFET?? II
包装	剪切带（CT）
零件状态	过期
供应商器件封装	8-TSSOP
不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）	9nC @ 2.5V
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）	25 毫欧 @ 3A，4.5V
FET 类型	2 个 N 沟道（双）
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）	6A
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	800pF @ 25V
FET 功能	逻辑电平门
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	600mV @ 250μA
漏源电压（Vdss）	30V
功率 - 最大值	1.5W
关键词

产品资料

数据列表	STC6NF30V
标准包装	1
其它名称	497-3152-1

封装/外壳 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽）  STMicroelectronics 封装/外壳 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽）  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 封装/外壳 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽）  STMicroelectronics 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 封装/外壳 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽）   制造商 STMicroelectronics  STMicroelectronics 制造商 STMicroelectronics  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 制造商 STMicroelectronics  STMicroelectronics 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 制造商 STMicroelectronics   安装类型 表面贴装  STMicroelectronics 安装类型 表面贴装  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 安装类型 表面贴装  STMicroelectronics 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 安装类型 表面贴装   工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  STMicroelectronics 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  STMicroelectronics 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）   系列 STripFET?? II  STMicroelectronics 系列 STripFET?? II  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 系列 STripFET?? II  STMicroelectronics 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 系列 STripFET?? II   包装 剪切带（CT）   STMicroelectronics 包装 剪切带（CT）   晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 包装 剪切带（CT）   STMicroelectronics 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 包装 剪切带（CT）    零件状态 过期  STMicroelectronics 零件状态 过期  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 零件状态 过期  STMicroelectronics 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 零件状态 过期   供应商器件封装 8-TSSOP  STMicroelectronics 供应商器件封装 8-TSSOP  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 供应商器件封装 8-TSSOP  STMicroelectronics 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 供应商器件封装 8-TSSOP   不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 9nC @ 2.5V  STMicroelectronics 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 9nC @ 2.5V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 9nC @ 2.5V  STMicroelectronics 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 9nC @ 2.5V   不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 25 毫欧 @ 3A，4.5V  STMicroelectronics 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 25 毫欧 @ 3A，4.5V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 25 毫欧 @ 3A，4.5V  STMicroelectronics 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 25 毫欧 @ 3A，4.5V   FET 类型 2 个 N 沟道（双）  STMicroelectronics FET 类型 2 个 N 沟道（双）  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 类型 2 个 N 沟道（双）  STMicroelectronics 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 类型 2 个 N 沟道（双）   电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 6A  STMicroelectronics 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 6A  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 6A  STMicroelectronics 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 6A   不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 800pF @ 25V  STMicroelectronics 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 800pF @ 25V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 800pF @ 25V  STMicroelectronics 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 800pF @ 25V   FET 功能 逻辑电平门  STMicroelectronics FET 功能 逻辑电平门  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 功能 逻辑电平门  STMicroelectronics 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 功能 逻辑电平门   不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 600mV @ 250μA  STMicroelectronics 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 600mV @ 250μA  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 600mV @ 250μA  STMicroelectronics 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 600mV @ 250μA   漏源电压（Vdss） 30V  STMicroelectronics 漏源电压（Vdss） 30V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 漏源电压（Vdss） 30V  STMicroelectronics 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 漏源电压（Vdss） 30V   功率 - 最大值 1.5W  STMicroelectronics 功率 - 最大值 1.5W  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 功率 - 最大值 1.5W  STMicroelectronics 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 功率 - 最大值 1.5W