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STD30N10F7 - 

MOSFET N-CH 100V 35A DPAK

STMicroelectronics STD30N10F7
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
STD30N10F7
仓库库存编号：
497-14531-1-ND
描述：
MOSFET N-CH 100V 35A DPAK
ROHS：
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）：
1（无限）
详细描述：
表面贴装 N 沟道 32A（Tc） 50W（Tc） DPAK
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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STD30N10F7产品属性


产品规格
  封装/外壳  TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63  
  制造商  STMicroelectronics  
  安装类型  表面贴装  
  工作温度  -55°C ~ 175°C（TJ）  
  系列  DeepGATE?，STripFET? VII  
  包装  剪切带（CT）   
  零件状态  在售  
  供应商器件封装  DPAK  
  技术  MOSFET（金属氧化物）  
  Vgs（最大值）  20V  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）  19nC @ 10V  
  不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）  24 毫欧 @ 16A，10V  
  驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）  10V  
  FET 类型  N 沟道  
  电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）  32A（Tc）  
  不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）  1270pF @ 50V  
  FET 功能  -  
  不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）  4.5V @ 250μA  
  功率耗散（最大值）  50W（Tc）  
  漏源电压（Vdss）  100V  
关键词         

产品资料
数据列表 STx30N10F7
标准包装 1
其它名称 497-14531-1

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STMicroelectronics		MOSFET N-CH 100V 35A DPAK
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STMicroelectronics - STD30N10F7 - MOSFET N-CH 100V 35A DPAK		STMicroelectronics
MOSFET N-CH 100V 35A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 32A（Tc） 50W（Tc） DPAK

型号：STD30N10F7
仓库库存编号：497-14531-1-ND
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