STD830CP40,STMicroelectronics,分立半导体产品,晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列
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晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列
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STD830CP40
STD830CP40 -
TRANS NPN/PNP 400V 3A 8DIP
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
STMicroelectronics
STMicroelectronics
制造商产品编号:
STD830CP40
仓库库存编号:
497-12244-ND
描述:
TRANS NPN/PNP 400V 3A 8DIP
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP 400V 3A 3W Through Hole 8-DIP
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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STD830CP40产品属性
产品规格
封装/外壳
8-DIP(0.300",7.62mm)
制造商
STMicroelectronics
安装类型
通孔
工作温度
150°C(TJ)
系列
-
包装
管件
零件状态
在售
供应商器件封装
8-DIP
晶体管类型
NPN,PNP
不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值)
18 @ 700mA,5V
电流 - 集电极截止(最大值)
100μA
不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值)
500mV @ 200mA,1A
频率 - 跃迁
-
功率 - 最大值
3W
电流 - 集电极(Ic)(最大值)
3A
电压 - 集射极击穿(最大值)
400V
关键词
产品资料
数据列表
STD830CP40
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标准包装
50
其它名称
497-12244
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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操作
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TRANS NPN 40V 0.2A TO-92
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor NPN 40V 200mA 300MHz 625mW Through Hole TO-92-3
型号:
2N3904BU
仓库库存编号:
2N3904FS-ND
别名:2N3904FS
无铅
搜索
STMicroelectronics
TRANS 8NPN DARL 50V 0.5A 18DIP
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor Array 8 NPN Darlington 50V 500mA 2.25W Through Hole 18-DIP
型号:
ULN2803A
仓库库存编号:
497-2356-5-ND
别名:497-2356-5
无铅
搜索
STMicroelectronics
TRANS 8NPN DARL 50V 0.5A 18DIP
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor Array 8 NPN Darlington 50V 500mA 2.25W Through Hole 18-DIP
型号:
ULN2804A
仓库库存编号:
497-2357-5-ND
别名:497-2357-5
无铅
搜索
Central Semiconductor Corp
TRANS 4PNP 60V 0.6A
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor Array 4 PNP (Quad) 60V 600mA 200MHz 650mW Through Hole TO-116
型号:
MPQ2907A
仓库库存编号:
MPQ2907A-ND
无铅
搜索
Central Semiconductor Corp
TRANS 2NPN/2PNP 30V 0.5A
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN, 2 PNP 30V 500mA 200MHz 650mW Through Hole TO-116
型号:
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仓库库存编号:
MPQ6002-ND
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封装/外壳 8-DIP(0.300",7.62mm)
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制造商 STMicroelectronics
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晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 制造商 STMicroelectronics
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STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 电压 - 集射极击穿(最大值) 400V
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