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STD85N10F7AG - 

MOSFET N-CH 100V 70A DPAK

STMicroelectronics STD85N10F7AG
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
STD85N10F7AG
仓库库存编号：
497-16516-1-ND
描述：
MOSFET N-CH 100V 70A DPAK
ROHS：
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）：
1（无限）
详细描述：
表面贴装 N 沟道 70A（Tc） 85W（Tc） DPAK
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大，部分产品信息可能未能及时更新，下单前请与销售人员确认好实时在库数量，谢谢合作！

STD85N10F7AG产品属性


产品规格
  封装/外壳  TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63  
  制造商  STMicroelectronics  
  安装类型  表面贴装  
  工作温度  -55°C ~ 175°C（TJ）  
  系列  STripFET??  
  包装  剪切带（CT）   
  零件状态  在售  
  供应商器件封装  DPAK  
  技术  MOSFET（金属氧化物）  
  Vgs（最大值）  ±20V  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）  45nC @ 10V  
  不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）  10 毫欧 @ 40A，10V  
  驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）  10V  
  FET 类型  N 沟道  
  电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）  70A（Tc）  
  不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）  3100pF @ 50V  
  FET 功能  -  
  不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）  4.5V @ 250μA  
  功率耗散（最大值）  85W（Tc）  
  漏源电压（Vdss）  100V  
关键词         

产品资料
数据列表 Spice Model Tutorial for Power MOSFETS
STD85N10F7AG Datasheet
应用说明 AN3267 Appl Note
AN4191 Appl Note
AN4390 Appl Note
The Avalanche Issue
AN4789 Appl Note
设计资源 STD85N10F7AG PSpice Model
标准包装 1
其它名称 497-16516-1

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