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STD8N60DM2 - 

N-CHANNEL 600 V, 0.26 OHM TYP.,

STMicroelectronics STD8N60DM2
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
STD8N60DM2
仓库库存编号：
497-16930-1-ND
描述：
N-CHANNEL 600 V, 0.26 OHM TYP.,
ROHS：
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）：
1（无限）
详细描述：
表面贴装 N 沟道 8A（Tc） 85W（Tc） DPAK
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大，部分产品信息可能未能及时更新，下单前请与销售人员确认好实时在库数量，谢谢合作！

STD8N60DM2产品属性


产品规格
  封装/外壳  TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63  
  制造商  STMicroelectronics  
  安装类型  表面贴装  
  工作温度  150°C（TJ）  
  系列  MDmesh??  
  包装  剪切带（CT）   
  零件状态  在售  
  供应商器件封装  DPAK  
  技术  MOSFET（金属氧化物）  
  Vgs（最大值）  ±30V  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）  13.5nC @ 10V  
  不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）  600 毫欧 @ 4A，10V  
  驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）  10V  
  FET 类型  N 沟道  
  电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）  8A（Tc）  
  不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）  375pF @ 100V  
  FET 功能  -  
  不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）  5V @ 100μA  
  功率耗散（最大值）  85W（Tc）  
  漏源电压（Vdss）  600V  
关键词         

产品资料
数据列表 Power Management Guide Brochure
STD8N60DM2 Datasheet
应用说明 Power MOSFET Avalanche Characteristics
Paralleling of Pwr MOSFETs in PFC Topology
Fishbone Diagram for Pwr Factor Correction
MOSFET Recovery in a Phase-Shifted ZVS DC/DC Converter
LLC Converters, Primary Side MOSFET Selection
Avalanche Issue: Comparing IAR,EAS Parameters
标准包装 1
其它名称 497-16930-1

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