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产品规格

封装/外壳	TO-220-3 整包
制造商	STMicroelectronics
安装类型	通孔
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
系列	MDmesh??
包装	管件
零件状态	在售
供应商器件封装	TO-220FP
技术	MOSFET（金属氧化物）
Vgs（最大值）	±25V
不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）	19nC @ 10V
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）	365 毫欧 @ 5.5A，10V
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	10V
FET 类型	N 沟道
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）	11A（Tc）
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	730pF @ 100V
FET 功能	-
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	5V @ 250μA
功率耗散（最大值）	25W（Tc）
漏源电压（Vdss）	600V
关键词

产品资料

数据列表	Power Management Guide Brochure STF13N60DM2 Datasheet
应用说明	Power MOSFET Avalanche Characteristics Paralleling of Pwr MOSFETs in PFC Topology Fishbone Diagram for Pwr Factor Correction MOSFET Recovery in a Phase-Shifted ZVS DC/DC Converter LLC Converters, Primary Side MOSFET Selection Avalanche Issue: Comparing IAR,EAS Parameters
标准包装	1,000
其它名称	497-16961

封装/外壳 TO-220-3 整包  STMicroelectronics 封装/外壳 TO-220-3 整包  晶体管 - FET，MOSFET - 单 封装/外壳 TO-220-3 整包  STMicroelectronics 晶体管 - FET，MOSFET - 单 封装/外壳 TO-220-3 整包   制造商 STMicroelectronics  STMicroelectronics 制造商 STMicroelectronics  晶体管 - FET，MOSFET - 单 制造商 STMicroelectronics  STMicroelectronics 晶体管 - FET，MOSFET - 单 制造商 STMicroelectronics   安装类型 通孔  STMicroelectronics 安装类型 通孔  晶体管 - FET，MOSFET - 单 安装类型 通孔  STMicroelectronics 晶体管 - FET，MOSFET - 单 安装类型 通孔   工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  STMicroelectronics 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  STMicroelectronics 晶体管 - FET，MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）   系列 MDmesh??  STMicroelectronics 系列 MDmesh??  晶体管 - FET，MOSFET - 单 系列 MDmesh??  STMicroelectronics 晶体管 - FET，MOSFET - 单 系列 MDmesh??   包装 管件   STMicroelectronics 包装 管件   晶体管 - FET，MOSFET - 单 包装 管件   STMicroelectronics 晶体管 - FET，MOSFET - 单 包装 管件    零件状态 在售  STMicroelectronics 零件状态 在售  晶体管 - FET，MOSFET - 单 零件状态 在售  STMicroelectronics 晶体管 - FET，MOSFET - 单 零件状态 在售   供应商器件封装 TO-220FP  STMicroelectronics 供应商器件封装 TO-220FP  晶体管 - FET，MOSFET - 单 供应商器件封装 TO-220FP  STMicroelectronics 晶体管 - FET，MOSFET - 单 供应商器件封装 TO-220FP   技术 MOSFET（金属氧化物）  STMicroelectronics 技术 MOSFET（金属氧化物）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 技术 MOSFET（金属氧化物）  STMicroelectronics 晶体管 - FET，MOSFET - 单 技术 MOSFET（金属氧化物）   Vgs（最大值） ±25V  STMicroelectronics Vgs（最大值） ±25V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 Vgs（最大值） ±25V  STMicroelectronics 晶体管 - FET，MOSFET - 单 Vgs（最大值） ±25V   不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 19nC @ 10V  STMicroelectronics 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 19nC @ 10V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 19nC @ 10V  STMicroelectronics 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 19nC @ 10V   不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 365 毫欧 @ 5.5A，10V  STMicroelectronics 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 365 毫欧 @ 5.5A，10V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 365 毫欧 @ 5.5A，10V  STMicroelectronics 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 365 毫欧 @ 5.5A，10V   驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V  STMicroelectronics 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V  STMicroelectronics 晶体管 - FET，MOSFET - 单 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V   FET 类型 N 沟道  STMicroelectronics FET 类型 N 沟道  晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 类型 N 沟道  STMicroelectronics 晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 类型 N 沟道   电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 11A（Tc）  STMicroelectronics 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 11A（Tc）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 11A（Tc）  STMicroelectronics 晶体管 - FET，MOSFET - 单 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 11A（Tc）   不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 730pF @ 100V  STMicroelectronics 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 730pF @ 100V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 730pF @ 100V  STMicroelectronics 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 730pF @ 100V   FET 功能 -  STMicroelectronics FET 功能 -  晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 功能 -  STMicroelectronics 晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 功能 -   不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 5V @ 250μA  STMicroelectronics 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 5V @ 250μA  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 5V @ 250μA  STMicroelectronics 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 5V @ 250μA   功率耗散（最大值） 25W（Tc）  STMicroelectronics 功率耗散（最大值） 25W（Tc）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 功率耗散（最大值） 25W（Tc）  STMicroelectronics 晶体管 - FET，MOSFET - 单 功率耗散（最大值） 25W（Tc）   漏源电压（Vdss） 600V  STMicroelectronics 漏源电压（Vdss） 600V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 漏源电压（Vdss） 600V  STMicroelectronics 晶体管 - FET，MOSFET - 单 漏源电压（Vdss） 600V