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产品规格

封装/外壳	TO-220-3 整包
制造商	STMicroelectronics
安装类型	通孔
工作温度	150°C（TJ）
系列	MDmesh? II
包装	管件
零件状态	过期
供应商器件封装	TO-220FP
技术	MOSFET（金属氧化物）
Vgs（最大值）	±25V
不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）	55nC @ 10V
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）	270 毫欧 @ 7.75A，10V
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	10V
FET 类型	N 沟道
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）	15.5A（Tc）
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	1900pF @ 50V
FET 功能	-
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	4V @ 250μA
功率耗散（最大值）	35W（Tc）
漏源电压（Vdss）	650V
关键词

产品资料

数据列表	STx19NM65N
标准包装	50

封装/外壳 TO-220-3 整包  STMicroelectronics 封装/外壳 TO-220-3 整包  晶体管 - FET，MOSFET - 单 封装/外壳 TO-220-3 整包  STMicroelectronics 晶体管 - FET，MOSFET - 单 封装/外壳 TO-220-3 整包   制造商 STMicroelectronics  STMicroelectronics 制造商 STMicroelectronics  晶体管 - FET，MOSFET - 单 制造商 STMicroelectronics  STMicroelectronics 晶体管 - FET，MOSFET - 单 制造商 STMicroelectronics   安装类型 通孔  STMicroelectronics 安装类型 通孔  晶体管 - FET，MOSFET - 单 安装类型 通孔  STMicroelectronics 晶体管 - FET，MOSFET - 单 安装类型 通孔   工作温度 150°C（TJ）  STMicroelectronics 工作温度 150°C（TJ）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 工作温度 150°C（TJ）  STMicroelectronics 晶体管 - FET，MOSFET - 单 工作温度 150°C（TJ）   系列 MDmesh? II  STMicroelectronics 系列 MDmesh? II  晶体管 - FET，MOSFET - 单 系列 MDmesh? II  STMicroelectronics 晶体管 - FET，MOSFET - 单 系列 MDmesh? II   包装 管件   STMicroelectronics 包装 管件   晶体管 - FET，MOSFET - 单 包装 管件   STMicroelectronics 晶体管 - FET，MOSFET - 单 包装 管件    零件状态 过期  STMicroelectronics 零件状态 过期  晶体管 - FET，MOSFET - 单 零件状态 过期  STMicroelectronics 晶体管 - FET，MOSFET - 单 零件状态 过期   供应商器件封装 TO-220FP  STMicroelectronics 供应商器件封装 TO-220FP  晶体管 - FET，MOSFET - 单 供应商器件封装 TO-220FP  STMicroelectronics 晶体管 - FET，MOSFET - 单 供应商器件封装 TO-220FP   技术 MOSFET（金属氧化物）  STMicroelectronics 技术 MOSFET（金属氧化物）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 技术 MOSFET（金属氧化物）  STMicroelectronics 晶体管 - FET，MOSFET - 单 技术 MOSFET（金属氧化物）   Vgs（最大值） ±25V  STMicroelectronics Vgs（最大值） ±25V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 Vgs（最大值） ±25V  STMicroelectronics 晶体管 - FET，MOSFET - 单 Vgs（最大值） ±25V   不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 55nC @ 10V  STMicroelectronics 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 55nC @ 10V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 55nC @ 10V  STMicroelectronics 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 55nC @ 10V   不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 270 毫欧 @ 7.75A，10V  STMicroelectronics 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 270 毫欧 @ 7.75A，10V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 270 毫欧 @ 7.75A，10V  STMicroelectronics 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 270 毫欧 @ 7.75A，10V   驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V  STMicroelectronics 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V  STMicroelectronics 晶体管 - FET，MOSFET - 单 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V   FET 类型 N 沟道  STMicroelectronics FET 类型 N 沟道  晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 类型 N 沟道  STMicroelectronics 晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 类型 N 沟道   电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 15.5A（Tc）  STMicroelectronics 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 15.5A（Tc）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 15.5A（Tc）  STMicroelectronics 晶体管 - FET，MOSFET - 单 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 15.5A（Tc）   不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1900pF @ 50V  STMicroelectronics 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1900pF @ 50V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1900pF @ 50V  STMicroelectronics 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1900pF @ 50V   FET 功能 -  STMicroelectronics FET 功能 -  晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 功能 -  STMicroelectronics 晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 功能 -   不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA  STMicroelectronics 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA  STMicroelectronics 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA   功率耗散（最大值） 35W（Tc）  STMicroelectronics 功率耗散（最大值） 35W（Tc）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 功率耗散（最大值） 35W（Tc）  STMicroelectronics 晶体管 - FET，MOSFET - 单 功率耗散（最大值） 35W（Tc）   漏源电压（Vdss） 650V  STMicroelectronics 漏源电压（Vdss） 650V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 漏源电压（Vdss） 650V  STMicroelectronics 晶体管 - FET，MOSFET - 单 漏源电压（Vdss） 650V