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STF2HNK60Z - 

MOSFET N-CH 600V 2A TO-220FP

STMicroelectronics STF2HNK60Z
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商产品编号:
STF2HNK60Z
仓库库存编号:
497-12575-5-ND
描述:
MOSFET N-CH 600V 2A TO-220FP
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
通孔 N 沟道 2A(Tc) 20W(Tc) TO-220FP
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STF2HNK60Z产品属性


产品规格
  封装/外壳  TO-220-3 整包  
  制造商  STMicroelectronics  
  安装类型  通孔  
  工作温度  -55°C ~ 150°C(TJ)  
  系列  SuperMESH??  
  包装  管件   
  零件状态  在售  
  供应商器件封装  TO-220FP  
  技术  MOSFET(金属氧化物)  
  Vgs(最大值)  ±30V  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)  15nC @ 10V  
  不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)  4.8 欧姆 @ 1A,10V  
  驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)  10V  
  FET 类型  N 沟道  
  电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)  2A(Tc)  
  不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)  280pF @ 25V  
  FET 功能  -  
  不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)  4.5V @ 50μA  
  功率耗散(最大值)  20W(Tc)  
  漏源电压(Vdss)  600V  
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产品资料
数据列表 STx2HNK60Z(x)
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标准包装 50
其它名称 497-12575-5
STF2HNK60Z-ND

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MOSFET, N CH, 600V, 2A, TO-220FP

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STF2HNK60Z
STMICROELECTRONICS STF2HNK60Z
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功率场效应管, MOSFET, N沟道, 1 A, 600 V, 4.4 ohm, 10 V, 3.75 V

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STMicroelectronics - STF2HNK60Z - MOSFET N-CH 600V 2A TO-220FP
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 2A TO-220FP

详细描述:通孔 N 沟道 2A(Tc) 20W(Tc) TO-220FP

型号:STF2HNK60Z
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STMicroelectronics - STF2HNK60Z - STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 N沟道 Si MOSFET STF2HNK60Z, 2 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220FP封装

制造商零件编号:
STF2HNK60Z
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
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