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STF8NK100Z
STF8NK100Z -
MOSFET N-CH 1000V 6.5A TO220FP
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
STMicroelectronics
STMicroelectronics
制造商产品编号:
STF8NK100Z
仓库库存编号:
497-5007-5-ND
描述:
MOSFET N-CH 1000V 6.5A TO220FP
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
通孔 N 沟道 6.5A(Tc) 40W(Tc) TO-220FP
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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STF8NK100Z产品属性
产品规格
封装/外壳
TO-220-3 整包
制造商
STMicroelectronics
安装类型
通孔
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
系列
SuperMESH??
包装
管件
零件状态
在售
供应商器件封装
TO-220FP
技术
MOSFET(金属氧化物)
Vgs(最大值)
±30V
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
102nC @ 10V
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
1.85 欧姆 @ 3.15A,10V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
FET 类型
N 沟道
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
6.5A(Tc)
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
2180pF @ 25V
FET 功能
-
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
4.5V @ 100μA
功率耗散(最大值)
40W(Tc)
漏源电压(Vdss)
1000V
关键词
产品资料
数据列表
ST(F,P)8NK100Z
其它有关文件
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标准包装
50
其它名称
497-5007-5
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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操作
Fairchild/ON Semiconductor
OPTOISO 4.17KV TRANS W/BASE 6DIP
详细描述:Optoisolator Transistor with Base Output 4170Vrms Channel 6-DIP
型号:
4N35VM
仓库库存编号:
4N35VM-ND
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 1000V 6.5A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 6.5A(Tc) 160W(Tc) TO-220AB
型号:
STP8NK100Z
仓库库存编号:
497-5021-5-ND
别名:497-5021-5
无铅
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制造商 STMicroelectronics
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STMicroelectronics 晶体管 - FET,MOSFET - 单 制造商 STMicroelectronics
安装类型 通孔
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工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
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系列 SuperMESH??
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包装 管件
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零件状态 在售
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供应商器件封装 TO-220FP
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不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 102nC @ 10V
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FET 类型 N 沟道
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电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6.5A(Tc)
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不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2180pF @ 25V
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FET 功能 -
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不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4.5V @ 100μA
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功率耗散(最大值) 40W(Tc)
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 功率耗散(最大值) 40W(Tc)
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漏源电压(Vdss) 1000V
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 1000V
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