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产品规格

封装/外壳	TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
制造商	STMicroelectronics
安装类型	表面贴装
工作温度	-55°C ~ 175°C（TJ）
系列	-
包装	剪切带（CT）
零件状态	在售
供应商器件封装	D2PAK
输入类型	标准
反向恢复时间（trr）	96ns
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	650V
Power - Max	115W
Current - Collector (Ic) (Max)	20A
测试条件	400V，10A，22 欧姆，15V
开关能量	120μJ（开），270μJ（关）
Current - Collector Pulsed (Icm)	40A
IGBT 类型	沟槽型场截止
不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）	2V @ 15V，10A
25°C 时 Td（开/关）值	19ns/91ns
栅极电荷	28nC
关键词

产品资料

数据列表	STGB10M65DF2
标准包装	1
其它名称	497-15844-1

封装/外壳 TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB  STMicroelectronics 封装/外壳 TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 封装/外壳 TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB  STMicroelectronics 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 封装/外壳 TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB   制造商 STMicroelectronics  STMicroelectronics 制造商 STMicroelectronics  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 制造商 STMicroelectronics  STMicroelectronics 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 制造商 STMicroelectronics   安装类型 表面贴装  STMicroelectronics 安装类型 表面贴装  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 安装类型 表面贴装  STMicroelectronics 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 安装类型 表面贴装   工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）  STMicroelectronics 工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）  STMicroelectronics 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）   系列 -  STMicroelectronics 系列 -  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 系列 -  STMicroelectronics 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 系列 -   包装 剪切带（CT）   STMicroelectronics 包装 剪切带（CT）   晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 包装 剪切带（CT）   STMicroelectronics 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 包装 剪切带（CT）    零件状态 在售  STMicroelectronics 零件状态 在售  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 零件状态 在售  STMicroelectronics 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 零件状态 在售   供应商器件封装 D2PAK  STMicroelectronics 供应商器件封装 D2PAK  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 供应商器件封装 D2PAK  STMicroelectronics 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 供应商器件封装 D2PAK   输入类型 标准  STMicroelectronics 输入类型 标准  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 输入类型 标准  STMicroelectronics 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 输入类型 标准   反向恢复时间（trr） 96ns  STMicroelectronics 反向恢复时间（trr） 96ns  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 反向恢复时间（trr） 96ns  STMicroelectronics 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 反向恢复时间（trr） 96ns   Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650V  STMicroelectronics Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650V  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650V  STMicroelectronics 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650V   Power - Max 115W  STMicroelectronics Power - Max 115W  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Power - Max 115W  STMicroelectronics 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Power - Max 115W   Current - Collector (Ic) (Max) 20A  STMicroelectronics Current - Collector (Ic) (Max) 20A  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 20A  STMicroelectronics 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 20A   测试条件 400V，10A，22 欧姆，15V  STMicroelectronics 测试条件 400V，10A，22 欧姆，15V  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 测试条件 400V，10A，22 欧姆，15V  STMicroelectronics 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 测试条件 400V，10A，22 欧姆，15V   开关能量 120μJ（开），270μJ（关）  STMicroelectronics 开关能量 120μJ（开），270μJ（关）  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 开关能量 120μJ（开），270μJ（关）  STMicroelectronics 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 开关能量 120μJ（开），270μJ（关）   Current - Collector Pulsed (Icm) 40A  STMicroelectronics Current - Collector Pulsed (Icm) 40A  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector Pulsed (Icm) 40A  STMicroelectronics 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector Pulsed (Icm) 40A   IGBT 类型 沟槽型场截止  STMicroelectronics IGBT 类型 沟槽型场截止  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 IGBT 类型 沟槽型场截止  STMicroelectronics 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 IGBT 类型 沟槽型场截止   不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 2V @ 15V，10A  STMicroelectronics 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 2V @ 15V，10A  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 2V @ 15V，10A  STMicroelectronics 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 2V @ 15V，10A   25°C 时 Td（开/关）值 19ns/91ns  STMicroelectronics 25°C 时 Td（开/关）值 19ns/91ns  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 25°C 时 Td（开/关）值 19ns/91ns  STMicroelectronics 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 25°C 时 Td（开/关）值 19ns/91ns   栅极电荷 28nC  STMicroelectronics 栅极电荷 28nC  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 栅极电荷 28nC  STMicroelectronics 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 栅极电荷 28nC