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产品规格

封装/外壳	TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
制造商	STMicroelectronics
安装类型	表面贴装
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
系列	汽车级，AEC-Q101
包装	剪切带（CT）
零件状态	在售
供应商器件封装	DPAK
输入类型	标准
反向恢复时间（trr）	50ns
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	600V
Power - Max	62.5W
Current - Collector (Ic) (Max)	18A
测试条件	400V，5A，10 欧姆，15V
开关能量	45μJ（开），105μJ（关）
Current - Collector Pulsed (Icm)	30A
IGBT 类型	-
不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）	2.75V @ 15V，5A
25°C 时 Td（开/关）值	9.5ns/87ns
栅极电荷	23nC
关键词

产品资料

数据列表	STGD10HF60KD
标准包装	1
其它名称	497-15309-1

封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63  STMicroelectronics 封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63  STMicroelectronics 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63   制造商 STMicroelectronics  STMicroelectronics 制造商 STMicroelectronics  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 制造商 STMicroelectronics  STMicroelectronics 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 制造商 STMicroelectronics   安装类型 表面贴装  STMicroelectronics 安装类型 表面贴装  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 安装类型 表面贴装  STMicroelectronics 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 安装类型 表面贴装   工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  STMicroelectronics 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  STMicroelectronics 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）   系列 汽车级，AEC-Q101  STMicroelectronics 系列 汽车级，AEC-Q101  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 系列 汽车级，AEC-Q101  STMicroelectronics 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 系列 汽车级，AEC-Q101   包装 剪切带（CT）   STMicroelectronics 包装 剪切带（CT）   晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 包装 剪切带（CT）   STMicroelectronics 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 包装 剪切带（CT）    零件状态 在售  STMicroelectronics 零件状态 在售  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 零件状态 在售  STMicroelectronics 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 零件状态 在售   供应商器件封装 DPAK  STMicroelectronics 供应商器件封装 DPAK  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 供应商器件封装 DPAK  STMicroelectronics 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 供应商器件封装 DPAK   输入类型 标准  STMicroelectronics 输入类型 标准  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 输入类型 标准  STMicroelectronics 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 输入类型 标准   反向恢复时间（trr） 50ns  STMicroelectronics 反向恢复时间（trr） 50ns  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 反向恢复时间（trr） 50ns  STMicroelectronics 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 反向恢复时间（trr） 50ns   Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V  STMicroelectronics Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V  STMicroelectronics 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V   Power - Max 62.5W  STMicroelectronics Power - Max 62.5W  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Power - Max 62.5W  STMicroelectronics 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Power - Max 62.5W   Current - Collector (Ic) (Max) 18A  STMicroelectronics Current - Collector (Ic) (Max) 18A  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 18A  STMicroelectronics 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 18A   测试条件 400V，5A，10 欧姆，15V  STMicroelectronics 测试条件 400V，5A，10 欧姆，15V  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 测试条件 400V，5A，10 欧姆，15V  STMicroelectronics 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 测试条件 400V，5A，10 欧姆，15V   开关能量 45μJ（开），105μJ（关）  STMicroelectronics 开关能量 45μJ（开），105μJ（关）  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 开关能量 45μJ（开），105μJ（关）  STMicroelectronics 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 开关能量 45μJ（开），105μJ（关）   Current - Collector Pulsed (Icm) 30A  STMicroelectronics Current - Collector Pulsed (Icm) 30A  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector Pulsed (Icm) 30A  STMicroelectronics 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector Pulsed (Icm) 30A   IGBT 类型 -  STMicroelectronics IGBT 类型 -  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 IGBT 类型 -  STMicroelectronics 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 IGBT 类型 -   不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 2.75V @ 15V，5A  STMicroelectronics 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 2.75V @ 15V，5A  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 2.75V @ 15V，5A  STMicroelectronics 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 2.75V @ 15V，5A   25°C 时 Td（开/关）值 9.5ns/87ns  STMicroelectronics 25°C 时 Td（开/关）值 9.5ns/87ns  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 25°C 时 Td（开/关）值 9.5ns/87ns  STMicroelectronics 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 25°C 时 Td（开/关）值 9.5ns/87ns   栅极电荷 23nC  STMicroelectronics 栅极电荷 23nC  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 栅极电荷 23nC  STMicroelectronics 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 栅极电荷 23nC