STGD3NB60SD-1,STMicroelectronics,分立半导体产品,晶体管 - UGBT，MOSFET - 单
st代理商
专业代理销售st（意法）全系列产品
库存查询
在本站结果里搜索：    
热门搜索词：电容器   Vicor   MXP7205VW   STM32F103C8T6   1379658-1   UVX  

STGD3NB60SD-1 - 

IGBT 600V 6A 48W DPAK

  • 已过时的产品。
STMicroelectronics STGD3NB60SD-1
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
STGD3NB60SD-1
仓库库存编号：
STGD3NB60SD-1-ND
描述：
IGBT 600V 6A 48W DPAK
ROHS：
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）：
3（168 小时）
详细描述：
IGBT 600V 6A 48W Surface Mount D-Pak
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大，部分产品信息可能未能及时更新，下单前请与销售人员确认好实时在库数量，谢谢合作！

STGD3NB60SD-1产品属性


产品规格
  封装/外壳  TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63  
  制造商  STMicroelectronics  
  安装类型  表面贴装  
  工作温度  175°C（TJ）  
  系列  PowerMESH??  
  包装  管件   
  零件状态  过期  
  供应商器件封装  D-Pak  
  输入类型  标准  
  反向恢复时间（trr）  1.7μs  
  Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)  600V  
  Power - Max  48W  
  Current - Collector (Ic) (Max)  6A  
  测试条件  480V，3A，1 千欧，15V  
  开关能量  1.1mJ（开），1.15mJ（关）  
  Current - Collector Pulsed (Icm)  25A  
  IGBT 类型  -  
  不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）  1.5V @ 15V，3A  
  25°C 时 Td（开/关）值  125μs/3.4μs  
  栅极电荷  18nC  
关键词         

产品资料
数据列表 STGD3NB60SD
标准包装 75

STGD3NB60SD-1配套

  • 参考图片
  • 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
  • PDF
  • 操作

STGD3NB60SD-1配用

  • 参考图片
  • 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
  • PDF
  • 操作

STGD3NB60SD-1相关搜索

封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63  STMicroelectronics 封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63  STMicroelectronics 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63   制造商 STMicroelectronics  STMicroelectronics 制造商 STMicroelectronics  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 制造商 STMicroelectronics  STMicroelectronics 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 制造商 STMicroelectronics   安装类型 表面贴装  STMicroelectronics 安装类型 表面贴装  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 安装类型 表面贴装  STMicroelectronics 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 安装类型 表面贴装   工作温度 175°C（TJ）  STMicroelectronics 工作温度 175°C（TJ）  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 工作温度 175°C（TJ）  STMicroelectronics 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 工作温度 175°C（TJ）   系列 PowerMESH??  STMicroelectronics 系列 PowerMESH??  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 系列 PowerMESH??  STMicroelectronics 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 系列 PowerMESH??   包装 管件   STMicroelectronics 包装 管件   晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 包装 管件   STMicroelectronics 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 包装 管件    零件状态 过期  STMicroelectronics 零件状态 过期  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 零件状态 过期  STMicroelectronics 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 零件状态 过期   供应商器件封装 D-Pak  STMicroelectronics 供应商器件封装 D-Pak  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 供应商器件封装 D-Pak  STMicroelectronics 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 供应商器件封装 D-Pak   输入类型 标准  STMicroelectronics 输入类型 标准  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 输入类型 标准  STMicroelectronics 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 输入类型 标准   反向恢复时间（trr） 1.7μs  STMicroelectronics 反向恢复时间（trr） 1.7μs  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 反向恢复时间（trr） 1.7μs  STMicroelectronics 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 反向恢复时间（trr） 1.7μs   Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V  STMicroelectronics Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V  STMicroelectronics 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V   Power - Max 48W  STMicroelectronics Power - Max 48W  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Power - Max 48W  STMicroelectronics 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Power - Max 48W   Current - Collector (Ic) (Max) 6A  STMicroelectronics Current - Collector (Ic) (Max) 6A  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 6A  STMicroelectronics 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 6A   测试条件 480V，3A，1 千欧，15V  STMicroelectronics 测试条件 480V，3A，1 千欧，15V  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 测试条件 480V，3A，1 千欧，15V  STMicroelectronics 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 测试条件 480V，3A，1 千欧，15V   开关能量 1.1mJ（开），1.15mJ（关）  STMicroelectronics 开关能量 1.1mJ（开），1.15mJ（关）  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 开关能量 1.1mJ（开），1.15mJ（关）  STMicroelectronics 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 开关能量 1.1mJ（开），1.15mJ（关）   Current - Collector Pulsed (Icm) 25A  STMicroelectronics Current - Collector Pulsed (Icm) 25A  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector Pulsed (Icm) 25A  STMicroelectronics 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector Pulsed (Icm) 25A   IGBT 类型 -  STMicroelectronics IGBT 类型 -  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 IGBT 类型 -  STMicroelectronics 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 IGBT 类型 -   不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 1.5V @ 15V，3A  STMicroelectronics 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 1.5V @ 15V，3A  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 1.5V @ 15V，3A  STMicroelectronics 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 1.5V @ 15V，3A   25°C 时 Td（开/关）值 125μs/3.4μs  STMicroelectronics 25°C 时 Td（开/关）值 125μs/3.4μs  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 25°C 时 Td（开/关）值 125μs/3.4μs  STMicroelectronics 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 25°C 时 Td（开/关）值 125μs/3.4μs   栅极电荷 18nC  STMicroelectronics 栅极电荷 18nC  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 栅极电荷 18nC  STMicroelectronics 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 栅极电荷 18nC  
电话:400-900-3095
QQ:800152669
st（意法）简介  |  st产品  |   st动态  |  产品应用  |  st选型手册
Copyright © 2017 www.st-ic.com All Rights Reserved. 技术支持：电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号