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产品规格

封装/外壳	TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
制造商	STMicroelectronics
安装类型	表面贴装
工作温度	-55°C ~ 175°C（TJ）
系列	M
包装	剪切带（CT）
零件状态	在售
供应商器件封装	DPAK
输入类型	标准
反向恢复时间（trr）	140ns
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	650V
Power - Max	88W
Current - Collector (Ic) (Max)	12A
测试条件	400V，6A，22 欧姆，15V
开关能量	36μJ（开），200μJ（关）
Current - Collector Pulsed (Icm)	24A
IGBT 类型	沟槽型场截止
不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）	2V @ 15V，6A
25°C 时 Td（开/关）值	15ns/90ns
栅极电荷	21.2nC
关键词

产品资料

数据列表	STGD6M65DF2 Datasheet
应用说明	IGBT Datasheet Tutorial EMC Design Guides for Motor Control Appl
标准包装	1
其它名称	497-16966-1

封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63  STMicroelectronics 封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63  STMicroelectronics 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63   制造商 STMicroelectronics  STMicroelectronics 制造商 STMicroelectronics  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 制造商 STMicroelectronics  STMicroelectronics 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 制造商 STMicroelectronics   安装类型 表面贴装  STMicroelectronics 安装类型 表面贴装  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 安装类型 表面贴装  STMicroelectronics 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 安装类型 表面贴装   工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）  STMicroelectronics 工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）  STMicroelectronics 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）   系列 M  STMicroelectronics 系列 M  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 系列 M  STMicroelectronics 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 系列 M   包装 剪切带（CT）   STMicroelectronics 包装 剪切带（CT）   晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 包装 剪切带（CT）   STMicroelectronics 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 包装 剪切带（CT）    零件状态 在售  STMicroelectronics 零件状态 在售  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 零件状态 在售  STMicroelectronics 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 零件状态 在售   供应商器件封装 DPAK  STMicroelectronics 供应商器件封装 DPAK  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 供应商器件封装 DPAK  STMicroelectronics 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 供应商器件封装 DPAK   输入类型 标准  STMicroelectronics 输入类型 标准  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 输入类型 标准  STMicroelectronics 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 输入类型 标准   反向恢复时间（trr） 140ns  STMicroelectronics 反向恢复时间（trr） 140ns  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 反向恢复时间（trr） 140ns  STMicroelectronics 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 反向恢复时间（trr） 140ns   Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650V  STMicroelectronics Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650V  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650V  STMicroelectronics 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650V   Power - Max 88W  STMicroelectronics Power - Max 88W  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Power - Max 88W  STMicroelectronics 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Power - Max 88W   Current - Collector (Ic) (Max) 12A  STMicroelectronics Current - Collector (Ic) (Max) 12A  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 12A  STMicroelectronics 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 12A   测试条件 400V，6A，22 欧姆，15V  STMicroelectronics 测试条件 400V，6A，22 欧姆，15V  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 测试条件 400V，6A，22 欧姆，15V  STMicroelectronics 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 测试条件 400V，6A，22 欧姆，15V   开关能量 36μJ（开），200μJ（关）  STMicroelectronics 开关能量 36μJ（开），200μJ（关）  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 开关能量 36μJ（开），200μJ（关）  STMicroelectronics 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 开关能量 36μJ（开），200μJ（关）   Current - Collector Pulsed (Icm) 24A  STMicroelectronics Current - Collector Pulsed (Icm) 24A  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector Pulsed (Icm) 24A  STMicroelectronics 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector Pulsed (Icm) 24A   IGBT 类型 沟槽型场截止  STMicroelectronics IGBT 类型 沟槽型场截止  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 IGBT 类型 沟槽型场截止  STMicroelectronics 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 IGBT 类型 沟槽型场截止   不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 2V @ 15V，6A  STMicroelectronics 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 2V @ 15V，6A  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 2V @ 15V，6A  STMicroelectronics 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 2V @ 15V，6A   25°C 时 Td（开/关）值 15ns/90ns  STMicroelectronics 25°C 时 Td（开/关）值 15ns/90ns  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 25°C 时 Td（开/关）值 15ns/90ns  STMicroelectronics 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 25°C 时 Td（开/关）值 15ns/90ns   栅极电荷 21.2nC  STMicroelectronics 栅极电荷 21.2nC  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 栅极电荷 21.2nC  STMicroelectronics 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 栅极电荷 21.2nC