STGD6NC60HDT4,STMicroelectronics,分立半导体产品,晶体管 - UGBT,MOSFET - 单
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
>
分立半导体产品
>
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单
>
STGD6NC60HDT4
STGD6NC60HDT4 -
IGBT 600V 15A 56W DPAK
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
STMicroelectronics
STMicroelectronics
制造商产品编号:
STGD6NC60HDT4
仓库库存编号:
497-5112-1-ND
描述:
IGBT 600V 15A 56W DPAK
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
IGBT 600V 15A 56W Surface Mount D-Pak
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!
STGD6NC60HDT4产品属性
产品规格
封装/外壳
TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
制造商
STMicroelectronics
安装类型
表面贴装
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
系列
PowerMESH??
包装
剪切带(CT)
零件状态
在售
供应商器件封装
D-Pak
输入类型
标准
反向恢复时间(trr)
21ns
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600V
Power - Max
56W
Current - Collector (Ic) (Max)
15A
测试条件
390V,3A,10 欧姆,15V
开关能量
20μJ(开),68μJ(关)
Current - Collector Pulsed (Icm)
21A
IGBT 类型
-
不同?Vge,Ic 时的?Vce(on)
2.5V @ 15V,3A
25°C 时 Td(开/关)值
12ns/76ns
栅极电荷
13.6nC
关键词
产品资料
数据列表
STGD6NC60HD
其它有关文件
STGD6NC60HD View All Specifications
标准包装
1
其它名称
497-5112-1
STGD6NC60HDT4相关产品
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Murata Power Solutions Inc.
DC/DC CONVERTER 15V -8.7V 2W
详细描述:隔离模块 DC/DC 转换器 2 输出 15V -8.7V 80mA,40mA 4.5V - 5.5V 输入
型号:
MGJ2D051509SC
仓库库存编号:
811-2999-5-ND
别名:811-2999-5
无铅
搜索
Murata Power Solutions Inc.
DC/DC CONVERTER 15V -8.7V 2W
详细描述:隔离模块 DC/DC 转换器 2 输出 15V -8.7V 80mA,40mA 13.5V - 16.5V 输入
型号:
MGJ2D151509SC
仓库库存编号:
811-3005-5-ND
别名:811-3005-5
无铅
搜索
Murata Power Solutions Inc.
DC/DC CONVERTER 15V -8.7V 2W
详细描述:隔离模块 DC/DC 转换器 2 输出 15V -8.7V 80mA,40mA 21.6V - 26.4V 输入
型号:
MGJ2D241509SC
仓库库存编号:
811-3008-5-ND
别名:811-3008-5
无铅
搜索
Murata Power Solutions Inc.
DC/DC CONVERTER 15V -10V 3W
详细描述:隔离模块 DC/DC 转换器 2 输出 15V -10V 120mA,120mA 9V - 18V 输入
型号:
MGJ3T12150505MC-R7
仓库库存编号:
811-3033-1-ND
别名:811-3033-1
无铅
搜索
STGD6NC60HDT4您可能还对以下元器件感兴趣
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Nexperia USA Inc.
TRANS NPN 45V 0.1A SOT23
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor NPN 45V 100mA 100MHz 250mW Surface Mount TO-236AB (SOT23)
型号:
BC847C,215
仓库库存编号:
1727-2924-1-ND
别名:1727-2924-1
568-1636-1
568-1636-1-ND
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
DIODE GEN PURP 600V 1A SMA
详细描述:标准 表面贴装 二极管 1A SMA(DO-214AC)
型号:
S1J
仓库库存编号:
S1JFSCT-ND
别名:S1JFSCT
无铅
搜索
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 75V 300MA SOD80
详细描述:标准 表面贴装 二极管 300mA(DC) SOD-80 MiniMELF
型号:
LL4148-GS08
仓库库存编号:
LL4148-GS08CT-ND
别名:LL4148-GS08CT
无铅
搜索
Murata Electronics North America
CER RES 10.0000MHZ 10PF SMD
详细描述:10MHz Ceramic Resonator Built in Capacitor 10pF ±0.1% -20°C ~ 80°C Surface Mount
型号:
CSTCE10M0G52-R0
仓库库存编号:
490-5991-1-ND
别名:490-5991-1
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23
详细描述:表面贴装 N 沟道 115mA(Ta) 200mW(Ta) TO-236
型号:
2N7002-T1-GE3
仓库库存编号:
2N7002-T1-GE3CT-ND
别名:2N7002-T1-GE3CT
无铅
搜索
STGD6NC60HDT4相关搜索
封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
STMicroelectronics 封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
STMicroelectronics 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
制造商 STMicroelectronics
STMicroelectronics 制造商 STMicroelectronics
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 制造商 STMicroelectronics
STMicroelectronics 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 制造商 STMicroelectronics
安装类型 表面贴装
STMicroelectronics 安装类型 表面贴装
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 安装类型 表面贴装
STMicroelectronics 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 安装类型 表面贴装
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
STMicroelectronics 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
STMicroelectronics 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
系列 PowerMESH??
STMicroelectronics 系列 PowerMESH??
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 系列 PowerMESH??
STMicroelectronics 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 系列 PowerMESH??
包装 剪切带(CT)
STMicroelectronics 包装 剪切带(CT)
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 包装 剪切带(CT)
STMicroelectronics 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 包装 剪切带(CT)
零件状态 在售
STMicroelectronics 零件状态 在售
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 零件状态 在售
STMicroelectronics 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 零件状态 在售
供应商器件封装 D-Pak
STMicroelectronics 供应商器件封装 D-Pak
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 供应商器件封装 D-Pak
STMicroelectronics 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 供应商器件封装 D-Pak
输入类型 标准
STMicroelectronics 输入类型 标准
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 输入类型 标准
STMicroelectronics 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 输入类型 标准
反向恢复时间(trr) 21ns
STMicroelectronics 反向恢复时间(trr) 21ns
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 反向恢复时间(trr) 21ns
STMicroelectronics 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 反向恢复时间(trr) 21ns
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V
STMicroelectronics Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V
STMicroelectronics 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V
Power - Max 56W
STMicroelectronics Power - Max 56W
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Power - Max 56W
STMicroelectronics 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Power - Max 56W
Current - Collector (Ic) (Max) 15A
STMicroelectronics Current - Collector (Ic) (Max) 15A
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 15A
STMicroelectronics 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 15A
测试条件 390V,3A,10 欧姆,15V
STMicroelectronics 测试条件 390V,3A,10 欧姆,15V
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 测试条件 390V,3A,10 欧姆,15V
STMicroelectronics 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 测试条件 390V,3A,10 欧姆,15V
开关能量 20μJ(开),68μJ(关)
STMicroelectronics 开关能量 20μJ(开),68μJ(关)
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 开关能量 20μJ(开),68μJ(关)
STMicroelectronics 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 开关能量 20μJ(开),68μJ(关)
Current - Collector Pulsed (Icm) 21A
STMicroelectronics Current - Collector Pulsed (Icm) 21A
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Current - Collector Pulsed (Icm) 21A
STMicroelectronics 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Current - Collector Pulsed (Icm) 21A
IGBT 类型 -
STMicroelectronics IGBT 类型 -
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 IGBT 类型 -
STMicroelectronics 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 IGBT 类型 -
不同?Vge,Ic 时的?Vce(on) 2.5V @ 15V,3A
STMicroelectronics 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on) 2.5V @ 15V,3A
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on) 2.5V @ 15V,3A
STMicroelectronics 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on) 2.5V @ 15V,3A
25°C 时 Td(开/关)值 12ns/76ns
STMicroelectronics 25°C 时 Td(开/关)值 12ns/76ns
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 25°C 时 Td(开/关)值 12ns/76ns
STMicroelectronics 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 25°C 时 Td(开/关)值 12ns/76ns
栅极电荷 13.6nC
STMicroelectronics 栅极电荷 13.6nC
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 栅极电荷 13.6nC
STMicroelectronics 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 栅极电荷 13.6nC
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号