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产品规格

封装/外壳	TO-220-3 整包
制造商	STMicroelectronics
安装类型	通孔
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
系列	PowerMESH??
包装	管件
零件状态	过期
供应商器件封装	TO-220FP
输入类型	标准
反向恢复时间（trr）	23ns
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	600V
Power - Max	22W
Current - Collector (Ic) (Max)	7A
测试条件	390V，3A，10 欧姆，15V
开关能量	32μJ（开），24μJ（关）
Current - Collector Pulsed (Icm)	18A
IGBT 类型	-
不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）	2.9V @ 15V，3A
25°C 时 Td（开/关）值	6.7ns/46ns
栅极电荷	12nC
关键词

产品资料

数据列表	STGxL6NC60DI
标准包装	50

封装/外壳 TO-220-3 整包  STMicroelectronics 封装/外壳 TO-220-3 整包  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 封装/外壳 TO-220-3 整包  STMicroelectronics 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 封装/外壳 TO-220-3 整包   制造商 STMicroelectronics  STMicroelectronics 制造商 STMicroelectronics  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 制造商 STMicroelectronics  STMicroelectronics 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 制造商 STMicroelectronics   安装类型 通孔  STMicroelectronics 安装类型 通孔  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 安装类型 通孔  STMicroelectronics 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 安装类型 通孔   工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  STMicroelectronics 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  STMicroelectronics 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）   系列 PowerMESH??  STMicroelectronics 系列 PowerMESH??  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 系列 PowerMESH??  STMicroelectronics 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 系列 PowerMESH??   包装 管件   STMicroelectronics 包装 管件   晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 包装 管件   STMicroelectronics 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 包装 管件    零件状态 过期  STMicroelectronics 零件状态 过期  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 零件状态 过期  STMicroelectronics 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 零件状态 过期   供应商器件封装 TO-220FP  STMicroelectronics 供应商器件封装 TO-220FP  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 供应商器件封装 TO-220FP  STMicroelectronics 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 供应商器件封装 TO-220FP   输入类型 标准  STMicroelectronics 输入类型 标准  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 输入类型 标准  STMicroelectronics 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 输入类型 标准   反向恢复时间（trr） 23ns  STMicroelectronics 反向恢复时间（trr） 23ns  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 反向恢复时间（trr） 23ns  STMicroelectronics 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 反向恢复时间（trr） 23ns   Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V  STMicroelectronics Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V  STMicroelectronics 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V   Power - Max 22W  STMicroelectronics Power - Max 22W  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Power - Max 22W  STMicroelectronics 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Power - Max 22W   Current - Collector (Ic) (Max) 7A  STMicroelectronics Current - Collector (Ic) (Max) 7A  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 7A  STMicroelectronics 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 7A   测试条件 390V，3A，10 欧姆，15V  STMicroelectronics 测试条件 390V，3A，10 欧姆，15V  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 测试条件 390V，3A，10 欧姆，15V  STMicroelectronics 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 测试条件 390V，3A，10 欧姆，15V   开关能量 32μJ（开），24μJ（关）  STMicroelectronics 开关能量 32μJ（开），24μJ（关）  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 开关能量 32μJ（开），24μJ（关）  STMicroelectronics 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 开关能量 32μJ（开），24μJ（关）   Current - Collector Pulsed (Icm) 18A  STMicroelectronics Current - Collector Pulsed (Icm) 18A  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector Pulsed (Icm) 18A  STMicroelectronics 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector Pulsed (Icm) 18A   IGBT 类型 -  STMicroelectronics IGBT 类型 -  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 IGBT 类型 -  STMicroelectronics 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 IGBT 类型 -   不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 2.9V @ 15V，3A  STMicroelectronics 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 2.9V @ 15V，3A  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 2.9V @ 15V，3A  STMicroelectronics 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 2.9V @ 15V，3A   25°C 时 Td（开/关）值 6.7ns/46ns  STMicroelectronics 25°C 时 Td（开/关）值 6.7ns/46ns  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 25°C 时 Td（开/关）值 6.7ns/46ns  STMicroelectronics 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 25°C 时 Td（开/关）值 6.7ns/46ns   栅极电荷 12nC  STMicroelectronics 栅极电荷 12nC  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 栅极电荷 12nC  STMicroelectronics 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 栅极电荷 12nC