关于我们 | 联系我们

库存查询

• 已过时的产品。

产品规格

封装/外壳	TO-220-3
制造商	STMicroelectronics
安装类型	通孔
工作温度	-65°C ~ 175°C（TJ）
系列	PowerMESH??
包装	管件
零件状态	过期
供应商器件封装	TO-220AB
输入类型	标准
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	440V
Power - Max	125W
Current - Collector (Ic) (Max)	20A
测试条件	328V，10A，1 千欧，5V
开关能量	2.4mJ（开），5mJ（关）
Current - Collector Pulsed (Icm)	40A
IGBT 类型	-
不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）	1.8V @ 4.5V，10A
25°C 时 Td（开/关）值	1.3μs/8μs
栅极电荷	28nC
关键词

产品资料

数据列表	STG(B,P)10NB37LZ
标准包装	50
其它名称	497-6732-5 STGP10NB37LZ-ND

封装/外壳 TO-220-3  STMicroelectronics 封装/外壳 TO-220-3  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 封装/外壳 TO-220-3  STMicroelectronics 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 封装/外壳 TO-220-3   制造商 STMicroelectronics  STMicroelectronics 制造商 STMicroelectronics  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 制造商 STMicroelectronics  STMicroelectronics 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 制造商 STMicroelectronics   安装类型 通孔  STMicroelectronics 安装类型 通孔  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 安装类型 通孔  STMicroelectronics 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 安装类型 通孔   工作温度 -65°C ~ 175°C（TJ）  STMicroelectronics 工作温度 -65°C ~ 175°C（TJ）  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 工作温度 -65°C ~ 175°C（TJ）  STMicroelectronics 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 工作温度 -65°C ~ 175°C（TJ）   系列 PowerMESH??  STMicroelectronics 系列 PowerMESH??  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 系列 PowerMESH??  STMicroelectronics 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 系列 PowerMESH??   包装 管件   STMicroelectronics 包装 管件   晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 包装 管件   STMicroelectronics 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 包装 管件    零件状态 过期  STMicroelectronics 零件状态 过期  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 零件状态 过期  STMicroelectronics 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 零件状态 过期   供应商器件封装 TO-220AB  STMicroelectronics 供应商器件封装 TO-220AB  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 供应商器件封装 TO-220AB  STMicroelectronics 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 供应商器件封装 TO-220AB   输入类型 标准  STMicroelectronics 输入类型 标准  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 输入类型 标准  STMicroelectronics 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 输入类型 标准   Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 440V  STMicroelectronics Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 440V  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 440V  STMicroelectronics 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 440V   Power - Max 125W  STMicroelectronics Power - Max 125W  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Power - Max 125W  STMicroelectronics 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Power - Max 125W   Current - Collector (Ic) (Max) 20A  STMicroelectronics Current - Collector (Ic) (Max) 20A  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 20A  STMicroelectronics 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 20A   测试条件 328V，10A，1 千欧，5V  STMicroelectronics 测试条件 328V，10A，1 千欧，5V  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 测试条件 328V，10A，1 千欧，5V  STMicroelectronics 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 测试条件 328V，10A，1 千欧，5V   开关能量 2.4mJ（开），5mJ（关）  STMicroelectronics 开关能量 2.4mJ（开），5mJ（关）  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 开关能量 2.4mJ（开），5mJ（关）  STMicroelectronics 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 开关能量 2.4mJ（开），5mJ（关）   Current - Collector Pulsed (Icm) 40A  STMicroelectronics Current - Collector Pulsed (Icm) 40A  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector Pulsed (Icm) 40A  STMicroelectronics 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector Pulsed (Icm) 40A   IGBT 类型 -  STMicroelectronics IGBT 类型 -  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 IGBT 类型 -  STMicroelectronics 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 IGBT 类型 -   不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 1.8V @ 4.5V，10A  STMicroelectronics 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 1.8V @ 4.5V，10A  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 1.8V @ 4.5V，10A  STMicroelectronics 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 1.8V @ 4.5V，10A   25°C 时 Td（开/关）值 1.3μs/8μs  STMicroelectronics 25°C 时 Td（开/关）值 1.3μs/8μs  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 25°C 时 Td（开/关）值 1.3μs/8μs  STMicroelectronics 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 25°C 时 Td（开/关）值 1.3μs/8μs   栅极电荷 28nC  STMicroelectronics 栅极电荷 28nC  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 栅极电荷 28nC  STMicroelectronics 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 栅极电荷 28nC