STGP19NC60HD,STMicroelectronics,分立半导体产品,晶体管 - UGBT,MOSFET - 单
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
>
分立半导体产品
>
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单
>
STGP19NC60HD
STGP19NC60HD -
IGBT 600V 40A 130W TO220
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
STMicroelectronics
STMicroelectronics
制造商产品编号:
STGP19NC60HD
仓库库存编号:
497-8809-5-ND
描述:
IGBT 600V 40A 130W TO220
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
IGBT 600V 40A 130W Through Hole TO-220
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!
STGP19NC60HD产品属性
产品规格
封装/外壳
TO-220-3
制造商
STMicroelectronics
安装类型
通孔
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
系列
PowerMESH??
包装
管件
零件状态
在售
供应商器件封装
TO-220
输入类型
标准
反向恢复时间(trr)
31ns
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600V
Power - Max
130W
Current - Collector (Ic) (Max)
40A
测试条件
390V,12A,10 欧姆,15V
开关能量
85μJ(开),189μJ(关)
Current - Collector Pulsed (Icm)
60A
IGBT 类型
-
不同?Vge,Ic 时的?Vce(on)
2.5V @ 15V,12A
25°C 时 Td(开/关)值
25ns/97ns
栅极电荷
53nC
关键词
产品资料
数据列表
STGx19NC60HD
其它有关文件
STGP19NC60HD View All Specifications
标准包装
50
其它名称
497-8809-5
STGP19NC60HD-ND
STGP19NC60HD您可能还对以下元器件感兴趣
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Diodes Incorporated
IC GATE DVR IGBT/MOSFET SOT26
详细描述:Low-Side Gate Driver IC Non-Inverting SOT-26
型号:
ZXGD3005E6TA
仓库库存编号:
ZXGD3005E6TADICT-ND
别名:ZXGD3005E6TADICT
无铅
搜索
Intersil
IC PIN DRIVER 40MHZ 3ST 8SOIC
详细描述:High-Side or Low-Side Gate Driver IC Non-Inverting 8-SOIC
型号:
EL7155CSZ-T7
仓库库存编号:
EL7155CSZ-T7CT-ND
别名:EL7155CSZ-T7CT
无铅
搜索
STMicroelectronics
IGBT 600V 60A 37W TO220FP
详细描述:IGBT Trench Field Stop 600V 60A 37W Through Hole TO-220FP
型号:
STGF30H60DF
仓库库存编号:
497-13581-5-ND
别名:497-13581-5
无铅
搜索
STMicroelectronics
IGBT 600V 40A 167W TO247
详细描述:IGBT Trench Field Stop 600V 40A 167W Through Hole TO-247
型号:
STGW20V60DF
仓库库存编号:
497-13763-5-ND
别名:497-13763-5
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
IGBT 400V 26.9A 166W DPAK
详细描述:IGBT 400V 26.9A 166W Surface Mount TO-252AA
型号:
FGD3440G2_F085
仓库库存编号:
FGD3440G2_F085CT-ND
别名:FGD3440G2_F085CT
无铅
搜索
STGP19NC60HD相关搜索
封装/外壳 TO-220-3
STMicroelectronics 封装/外壳 TO-220-3
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 封装/外壳 TO-220-3
STMicroelectronics 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 封装/外壳 TO-220-3
制造商 STMicroelectronics
STMicroelectronics 制造商 STMicroelectronics
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 制造商 STMicroelectronics
STMicroelectronics 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 制造商 STMicroelectronics
安装类型 通孔
STMicroelectronics 安装类型 通孔
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 安装类型 通孔
STMicroelectronics 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 安装类型 通孔
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
STMicroelectronics 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
STMicroelectronics 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
系列 PowerMESH??
STMicroelectronics 系列 PowerMESH??
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 系列 PowerMESH??
STMicroelectronics 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 系列 PowerMESH??
包装 管件
STMicroelectronics 包装 管件
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 包装 管件
STMicroelectronics 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 包装 管件
零件状态 在售
STMicroelectronics 零件状态 在售
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 零件状态 在售
STMicroelectronics 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 零件状态 在售
供应商器件封装 TO-220
STMicroelectronics 供应商器件封装 TO-220
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 供应商器件封装 TO-220
STMicroelectronics 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 供应商器件封装 TO-220
输入类型 标准
STMicroelectronics 输入类型 标准
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 输入类型 标准
STMicroelectronics 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 输入类型 标准
反向恢复时间(trr) 31ns
STMicroelectronics 反向恢复时间(trr) 31ns
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 反向恢复时间(trr) 31ns
STMicroelectronics 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 反向恢复时间(trr) 31ns
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V
STMicroelectronics Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V
STMicroelectronics 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V
Power - Max 130W
STMicroelectronics Power - Max 130W
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Power - Max 130W
STMicroelectronics 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Power - Max 130W
Current - Collector (Ic) (Max) 40A
STMicroelectronics Current - Collector (Ic) (Max) 40A
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 40A
STMicroelectronics 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 40A
测试条件 390V,12A,10 欧姆,15V
STMicroelectronics 测试条件 390V,12A,10 欧姆,15V
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 测试条件 390V,12A,10 欧姆,15V
STMicroelectronics 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 测试条件 390V,12A,10 欧姆,15V
开关能量 85μJ(开),189μJ(关)
STMicroelectronics 开关能量 85μJ(开),189μJ(关)
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 开关能量 85μJ(开),189μJ(关)
STMicroelectronics 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 开关能量 85μJ(开),189μJ(关)
Current - Collector Pulsed (Icm) 60A
STMicroelectronics Current - Collector Pulsed (Icm) 60A
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Current - Collector Pulsed (Icm) 60A
STMicroelectronics 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Current - Collector Pulsed (Icm) 60A
IGBT 类型 -
STMicroelectronics IGBT 类型 -
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 IGBT 类型 -
STMicroelectronics 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 IGBT 类型 -
不同?Vge,Ic 时的?Vce(on) 2.5V @ 15V,12A
STMicroelectronics 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on) 2.5V @ 15V,12A
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on) 2.5V @ 15V,12A
STMicroelectronics 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on) 2.5V @ 15V,12A
25°C 时 Td(开/关)值 25ns/97ns
STMicroelectronics 25°C 时 Td(开/关)值 25ns/97ns
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 25°C 时 Td(开/关)值 25ns/97ns
STMicroelectronics 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 25°C 时 Td(开/关)值 25ns/97ns
栅极电荷 53nC
STMicroelectronics 栅极电荷 53nC
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 栅极电荷 53nC
STMicroelectronics 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 栅极电荷 53nC
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号