STGW20NC60VD,STMicroelectronics,分立半导体产品,晶体管 - UGBT,MOSFET - 单
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STGW20NC60VD
STGW20NC60VD -
IGBT 600V 60A 200W TO247
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
STMicroelectronics
STMicroelectronics
制造商产品编号:
STGW20NC60VD
仓库库存编号:
497-4357-5-ND
描述:
IGBT 600V 60A 200W TO247
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
IGBT 600V 60A 200W Through Hole TO-247-3
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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STGW20NC60VD产品属性
产品规格
封装/外壳
TO-247-3
制造商
STMicroelectronics
安装类型
通孔
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
系列
PowerMESH??
包装
管件
零件状态
在售
供应商器件封装
TO-247-3
输入类型
标准
反向恢复时间(trr)
44ns
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600V
Power - Max
200W
Current - Collector (Ic) (Max)
60A
测试条件
390V,20A,3.3 欧姆,15V
开关能量
220μJ(开),330μJ(关)
Current - Collector Pulsed (Icm)
150A
IGBT 类型
-
不同?Vge,Ic 时的?Vce(on)
2.5V @ 15V,20A
25°C 时 Td(开/关)值
31ns/100ns
栅极电荷
100nC
关键词
产品资料
数据列表
STGW20NC60VD
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标准包装
30
其它名称
497-4357-5
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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详细描述:IGBT 600V 55A 200W Through Hole TO-247AC
型号:
IRG4PC50WPBF
仓库库存编号:
IRG4PC50WPBF-ND
别名:*IRG4PC50WPBF
92-0254PBF
92-0254PBF-ND
SP001537164
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详细描述:IGBT 600V 52A 200W Through Hole TO-247AC
型号:
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仓库库存编号:
IRG4PC50KDPBF-ND
别名:*IRG4PC50KDPBF
SP001540572
无铅
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IGBT 600V 60A 200W TO-247
详细描述:IGBT 600V 60A 200W Through Hole TO-247-3
型号:
STGW35HF60WD
仓库库存编号:
497-10073-5-ND
别名:497-10073-5
无铅
搜索
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IGBT 600V 60A 200W TO-247
详细描述:IGBT 600V 60A 200W Through Hole TO-247-3
型号:
STGW35HF60WDI
仓库库存编号:
497-10074-5-ND
别名:497-10074-5
无铅
搜索
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IGBT 600V 60A 200W TO247
详细描述:IGBT 600V 60A 200W Through Hole TO-247-3
型号:
STGW35HF60W
仓库库存编号:
497-10708-5-ND
别名:497-10708-5
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STMicroelectronics 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 栅极电荷 100nC
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