STGW30NC60W,STMicroelectronics,分立半导体产品,晶体管 - UGBT，MOSFET - 单
st代理商
专业代理销售st（意法）全系列产品
库存查询
在本站结果里搜索：    
热门搜索词：电容器   Vicor   MXP7205VW   STM32F103C8T6   1379658-1   UVX  

STGW30NC60W - 

IGBT 600V 60A 200W TO220

  • 已过时的产品。
STMicroelectronics STGW30NC60W
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
STGW30NC60W
仓库库存编号：
497-5009-5-ND
描述：
IGBT 600V 60A 200W TO220
ROHS：
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）：
1（无限）
详细描述：
IGBT 600V 60A 200W Through Hole TO-247-3
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大，部分产品信息可能未能及时更新，下单前请与销售人员确认好实时在库数量，谢谢合作！

STGW30NC60W产品属性


产品规格
  封装/外壳  TO-247-3  
  制造商  STMicroelectronics  
  安装类型  通孔  
  工作温度  -55°C ~ 150°C（TJ）  
  系列  PowerMESH??  
  包装  管件   
  零件状态  过期  
  供应商器件封装  TO-247-3  
  输入类型  标准  
  Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)  600V  
  Power - Max  200W  
  Current - Collector (Ic) (Max)  60A  
  测试条件  390V，20A，10 欧姆，15V  
  开关能量  305μJ（开），181μJ（关）  
  Current - Collector Pulsed (Icm)  150A  
  IGBT 类型  -  
  不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）  2.5V @ 15V，20A  
  25°C 时 Td（开/关）值  29.5ns/118ns  
  栅极电荷  102nC  
关键词         

产品资料
标准包装 30
其它名称 497-5009-5

STGW30NC60W您可能还对以下元器件感兴趣

  • 参考图片
  • 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
  • PDF
  • 操作

STGW30NC60W相关搜索

封装/外壳 TO-247-3  STMicroelectronics 封装/外壳 TO-247-3  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 封装/外壳 TO-247-3  STMicroelectronics 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 封装/外壳 TO-247-3   制造商 STMicroelectronics  STMicroelectronics 制造商 STMicroelectronics  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 制造商 STMicroelectronics  STMicroelectronics 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 制造商 STMicroelectronics   安装类型 通孔  STMicroelectronics 安装类型 通孔  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 安装类型 通孔  STMicroelectronics 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 安装类型 通孔   工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  STMicroelectronics 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  STMicroelectronics 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）   系列 PowerMESH??  STMicroelectronics 系列 PowerMESH??  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 系列 PowerMESH??  STMicroelectronics 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 系列 PowerMESH??   包装 管件   STMicroelectronics 包装 管件   晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 包装 管件   STMicroelectronics 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 包装 管件    零件状态 过期  STMicroelectronics 零件状态 过期  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 零件状态 过期  STMicroelectronics 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 零件状态 过期   供应商器件封装 TO-247-3  STMicroelectronics 供应商器件封装 TO-247-3  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 供应商器件封装 TO-247-3  STMicroelectronics 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 供应商器件封装 TO-247-3   输入类型 标准  STMicroelectronics 输入类型 标准  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 输入类型 标准  STMicroelectronics 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 输入类型 标准   Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V  STMicroelectronics Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V  STMicroelectronics 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V   Power - Max 200W  STMicroelectronics Power - Max 200W  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Power - Max 200W  STMicroelectronics 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Power - Max 200W   Current - Collector (Ic) (Max) 60A  STMicroelectronics Current - Collector (Ic) (Max) 60A  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 60A  STMicroelectronics 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 60A   测试条件 390V，20A，10 欧姆，15V  STMicroelectronics 测试条件 390V，20A，10 欧姆，15V  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 测试条件 390V，20A，10 欧姆，15V  STMicroelectronics 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 测试条件 390V，20A，10 欧姆，15V   开关能量 305μJ（开），181μJ（关）  STMicroelectronics 开关能量 305μJ（开），181μJ（关）  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 开关能量 305μJ（开），181μJ（关）  STMicroelectronics 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 开关能量 305μJ（开），181μJ（关）   Current - Collector Pulsed (Icm) 150A  STMicroelectronics Current - Collector Pulsed (Icm) 150A  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector Pulsed (Icm) 150A  STMicroelectronics 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector Pulsed (Icm) 150A   IGBT 类型 -  STMicroelectronics IGBT 类型 -  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 IGBT 类型 -  STMicroelectronics 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 IGBT 类型 -   不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 2.5V @ 15V，20A  STMicroelectronics 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 2.5V @ 15V，20A  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 2.5V @ 15V，20A  STMicroelectronics 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 2.5V @ 15V，20A   25°C 时 Td（开/关）值 29.5ns/118ns  STMicroelectronics 25°C 时 Td（开/关）值 29.5ns/118ns  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 25°C 时 Td（开/关）值 29.5ns/118ns  STMicroelectronics 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 25°C 时 Td（开/关）值 29.5ns/118ns   栅极电荷 102nC  STMicroelectronics 栅极电荷 102nC  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 栅极电荷 102nC  STMicroelectronics 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 栅极电荷 102nC  
电话:400-900-3095
QQ:800152669
st（意法）简介  |  st产品  |   st动态  |  产品应用  |  st选型手册
Copyright © 2017 www.st-ic.com All Rights Reserved. 技术支持：电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号