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STGW35HF60WD
STGW35HF60WD -
IGBT 600V 60A 200W TO-247
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
STMicroelectronics
STMicroelectronics
制造商产品编号:
STGW35HF60WD
仓库库存编号:
497-10073-5-ND
描述:
IGBT 600V 60A 200W TO-247
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
IGBT 600V 60A 200W Through Hole TO-247-3
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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STGW35HF60WD产品属性
产品规格
封装/外壳
TO-247-3
制造商
STMicroelectronics
安装类型
通孔
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
系列
-
包装
管件
零件状态
在售
供应商器件封装
TO-247-3
输入类型
标准
反向恢复时间(trr)
50ns
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600V
Power - Max
200W
Current - Collector (Ic) (Max)
60A
测试条件
400V,20A,10 欧姆,15V
开关能量
290μJ(开),185μJ(关)
Current - Collector Pulsed (Icm)
150A
IGBT 类型
-
不同?Vge,Ic 时的?Vce(on)
2.5V @ 15V,20A
25°C 时 Td(开/关)值
30ns/175ns
栅极电荷
140nC
关键词
产品资料
数据列表
STGW35HF60WD
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标准包装
30
其它名称
497-10073-5
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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操作
STMicroelectronics
IGBT 600V 60A 200W TO247
详细描述:IGBT 600V 60A 200W Through Hole TO-247-3
型号:
STGW20NC60VD
仓库库存编号:
497-4357-5-ND
别名:497-4357-5
无铅
搜索
Micro Commercial Co
DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD
详细描述:标准 通孔 二极管 3A DO-201AD
型号:
1N5406-TP
仓库库存编号:
1N5406-TPCT-ND
别名:1N5406-TPCT
无铅
搜索
STMicroelectronics
DIODE GEN PURP 600V 15A TO220AC
详细描述:标准 通孔 二极管 15A TO-220AC
型号:
STTH15R06D
仓库库存编号:
497-5408-5-ND
别名:497-5408-5
STTH15R06D-ND
无铅
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DIODE GEN PURP 1KV 1A SMA
详细描述:标准 表面贴装 二极管 1A SMA(DO-214AC)
型号:
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仓库库存编号:
GF1MFSCT-ND
别名:GF1MCT
GF1MCT-ND
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安装类型 通孔
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栅极电荷 140nC
STMicroelectronics 栅极电荷 140nC
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 栅极电荷 140nC
STMicroelectronics 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 栅极电荷 140nC
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