STGW40H120DF2,STMicroelectronics,分立半导体产品,晶体管 - UGBT，MOSFET - 单
st代理商
专业代理销售st（意法）全系列产品
库存查询
在本站结果里搜索：    
热门搜索词：电容器   Vicor   MXP7205VW   STM32F103C8T6   1379658-1   UVX  

STGW40H120DF2 - 

IGBT 1200V 40A HS TO-247

STMicroelectronics STGW40H120DF2
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
STGW40H120DF2
仓库库存编号：
497-14715-5-ND
描述：
IGBT 1200V 40A HS TO-247
ROHS：
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）：
1（无限）
详细描述：
IGBT Trench Field Stop 1200V 80A 468W Through Hole TO-247
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大，部分产品信息可能未能及时更新，下单前请与销售人员确认好实时在库数量，谢谢合作！

STGW40H120DF2产品属性


产品规格
  封装/外壳  TO-247-3  
  制造商  STMicroelectronics  
  安装类型  通孔  
  工作温度  -55°C ~ 175°C（TJ）  
  系列  -  
  包装  管件   
  零件状态  在售  
  供应商器件封装  TO-247  
  输入类型  标准  
  反向恢复时间（trr）  488ns  
  Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)  1200V  
  Power - Max  468W  
  Current - Collector (Ic) (Max)  80A  
  测试条件  600V，40A，10 欧姆，15V  
  开关能量  1mJ（开），1.32mJ（关）  
  Current - Collector Pulsed (Icm)  160A  
  IGBT 类型  沟槽型场截止  
  不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）  2.6V @ 15V，40A  
  25°C 时 Td（开/关）值  18ns/152ns  
  栅极电荷  187nC  
关键词         

产品资料
数据列表 STGW(A)40H120DF2
标准包装 30

STGW40H120DF2您可能还对以下元器件感兴趣

  • 参考图片
  • 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
  • PDF
  • 操作

STGW40H120DF2相关搜索

封装/外壳 TO-247-3  STMicroelectronics 封装/外壳 TO-247-3  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 封装/外壳 TO-247-3  STMicroelectronics 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 封装/外壳 TO-247-3   制造商 STMicroelectronics  STMicroelectronics 制造商 STMicroelectronics  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 制造商 STMicroelectronics  STMicroelectronics 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 制造商 STMicroelectronics   安装类型 通孔  STMicroelectronics 安装类型 通孔  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 安装类型 通孔  STMicroelectronics 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 安装类型 通孔   工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）  STMicroelectronics 工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）  STMicroelectronics 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）   系列 -  STMicroelectronics 系列 -  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 系列 -  STMicroelectronics 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 系列 -   包装 管件   STMicroelectronics 包装 管件   晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 包装 管件   STMicroelectronics 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 包装 管件    零件状态 在售  STMicroelectronics 零件状态 在售  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 零件状态 在售  STMicroelectronics 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 零件状态 在售   供应商器件封装 TO-247  STMicroelectronics 供应商器件封装 TO-247  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 供应商器件封装 TO-247  STMicroelectronics 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 供应商器件封装 TO-247   输入类型 标准  STMicroelectronics 输入类型 标准  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 输入类型 标准  STMicroelectronics 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 输入类型 标准   反向恢复时间（trr） 488ns  STMicroelectronics 反向恢复时间（trr） 488ns  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 反向恢复时间（trr） 488ns  STMicroelectronics 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 反向恢复时间（trr） 488ns   Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V  STMicroelectronics Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V  STMicroelectronics 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V   Power - Max 468W  STMicroelectronics Power - Max 468W  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Power - Max 468W  STMicroelectronics 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Power - Max 468W   Current - Collector (Ic) (Max) 80A  STMicroelectronics Current - Collector (Ic) (Max) 80A  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 80A  STMicroelectronics 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 80A   测试条件 600V，40A，10 欧姆，15V  STMicroelectronics 测试条件 600V，40A，10 欧姆，15V  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 测试条件 600V，40A，10 欧姆，15V  STMicroelectronics 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 测试条件 600V，40A，10 欧姆，15V   开关能量 1mJ（开），1.32mJ（关）  STMicroelectronics 开关能量 1mJ（开），1.32mJ（关）  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 开关能量 1mJ（开），1.32mJ（关）  STMicroelectronics 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 开关能量 1mJ（开），1.32mJ（关）   Current - Collector Pulsed (Icm) 160A  STMicroelectronics Current - Collector Pulsed (Icm) 160A  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector Pulsed (Icm) 160A  STMicroelectronics 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector Pulsed (Icm) 160A   IGBT 类型 沟槽型场截止  STMicroelectronics IGBT 类型 沟槽型场截止  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 IGBT 类型 沟槽型场截止  STMicroelectronics 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 IGBT 类型 沟槽型场截止   不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 2.6V @ 15V，40A  STMicroelectronics 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 2.6V @ 15V，40A  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 2.6V @ 15V，40A  STMicroelectronics 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 2.6V @ 15V，40A   25°C 时 Td（开/关）值 18ns/152ns  STMicroelectronics 25°C 时 Td（开/关）值 18ns/152ns  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 25°C 时 Td（开/关）值 18ns/152ns  STMicroelectronics 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 25°C 时 Td（开/关）值 18ns/152ns   栅极电荷 187nC  STMicroelectronics 栅极电荷 187nC  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 栅极电荷 187nC  STMicroelectronics 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 栅极电荷 187nC  
电话:400-900-3095
QQ:800152669
st（意法）简介  |  st产品  |   st动态  |  产品应用  |  st选型手册
Copyright © 2017 www.st-ic.com All Rights Reserved. 技术支持：电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号