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STGW80H65DFB-4 - 

IGBT BIPO 650V 80A TO247

  • 非库存货
STMicroelectronics STGW80H65DFB-4
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
STGW80H65DFB-4
仓库库存编号：
STGW80H65DFB-4-ND
描述：
IGBT BIPO 650V 80A TO247
ROHS：
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）：
1（无限）
详细描述：
IGBT Trench Field Stop 650V 120A 469W Through Hole TO-247-4L
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大，部分产品信息可能未能及时更新，下单前请与销售人员确认好实时在库数量，谢谢合作！

STGW80H65DFB-4产品属性


产品规格
  封装/外壳  TO-247-4  
  制造商  STMicroelectronics  
  安装类型  通孔  
  工作温度  -55°C ~ 175°C（TJ）  
  系列  -  
  包装  管件   
  零件状态  在售  
  供应商器件封装  TO-247-4L  
  输入类型  标准  
  反向恢复时间（trr）  85ns  
  Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)  650V  
  Power - Max  469W  
  Current - Collector (Ic) (Max)  120A  
  测试条件  400V，80A，10 欧姆，15V  
  开关能量  2.1mJ（开），1.5mJ（关）  
  Current - Collector Pulsed (Icm)  240A  
  IGBT 类型  沟槽型场截止  
  不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）  2V @ 15V，80A  
  25°C 时 Td（开/关）值  84ns/280ns  
  栅极电荷  414nC  
关键词         

产品资料
数据列表 STGW80H65DFB-4
标准包装 30

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