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STGWA15S120DF3
STGWA15S120DF3 -
IGBT 1200V 15A TO247-3L
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
STMicroelectronics
STMicroelectronics
制造商产品编号:
STGWA15S120DF3
仓库库存编号:
497-15626-5-ND
描述:
IGBT 1200V 15A TO247-3L
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
IGBT Trench Field Stop 1200V 30A 259W Through Hole TO-247-3
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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STGWA15S120DF3产品属性
产品规格
封装/外壳
TO-247-3
制造商
STMicroelectronics
安装类型
通孔
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
系列
-
包装
管件
零件状态
在售
供应商器件封装
TO-247-3
输入类型
标准
反向恢复时间(trr)
270ns
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200V
Power - Max
259W
Current - Collector (Ic) (Max)
30A
测试条件
600V,15A,22 欧姆,15V
开关能量
540μJ(开),1.38mJ(关)
Current - Collector Pulsed (Icm)
60A
IGBT 类型
沟槽型场截止
不同?Vge,Ic 时的?Vce(on)
2.05V @ 15V,15A
25°C 时 Td(开/关)值
23ns/140ns
栅极电荷
53nC
关键词
产品资料
数据列表
STGW(A)15S120DF3
应用说明
IGBT Datasheet Tutorial
标准包装
30
其它名称
497-15626-5
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制造商 STMicroelectronics
STMicroelectronics 制造商 STMicroelectronics
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 制造商 STMicroelectronics
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安装类型 通孔
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工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
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系列 -
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包装 管件
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零件状态 在售
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供应商器件封装 TO-247-3
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输入类型 标准
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Power - Max 259W
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晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Power - Max 259W
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Current - Collector (Ic) (Max) 30A
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测试条件 600V,15A,22 欧姆,15V
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晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 测试条件 600V,15A,22 欧姆,15V
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不同?Vge,Ic 时的?Vce(on) 2.05V @ 15V,15A
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晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on) 2.05V @ 15V,15A
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25°C 时 Td(开/关)值 23ns/140ns
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栅极电荷 53nC
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晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 栅极电荷 53nC
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