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产品规格

封装/外壳	TO-247-3
制造商	STMicroelectronics
安装类型	通孔
工作温度	-55°C ~ 175°C（TJ）
系列	-
包装	管件
零件状态	在售
供应商器件封装	TO-247-3
输入类型	标准
反向恢复时间（trr）	303ns
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	1200V
Power - Max	375W
Current - Collector (Ic) (Max)	50A
测试条件	600V，25A，10 欧姆，15V
开关能量	600μJ（开），700μJ（关）
Current - Collector Pulsed (Icm)	100A
IGBT 类型	沟槽型场截止
不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）	2.6V @ 15V，25A
25°C 时 Td（开/关）值	29ns/130ns
栅极电荷	100nC
关键词

产品资料

数据列表	STGW25H120DF2
应用说明	IGBT Datasheet Tutorial
标准包装	30
其它名称	497-15548-5

封装/外壳 TO-247-3  STMicroelectronics 封装/外壳 TO-247-3  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 封装/外壳 TO-247-3  STMicroelectronics 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 封装/外壳 TO-247-3   制造商 STMicroelectronics  STMicroelectronics 制造商 STMicroelectronics  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 制造商 STMicroelectronics  STMicroelectronics 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 制造商 STMicroelectronics   安装类型 通孔  STMicroelectronics 安装类型 通孔  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 安装类型 通孔  STMicroelectronics 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 安装类型 通孔   工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）  STMicroelectronics 工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）  STMicroelectronics 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）   系列 -  STMicroelectronics 系列 -  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 系列 -  STMicroelectronics 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 系列 -   包装 管件   STMicroelectronics 包装 管件   晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 包装 管件   STMicroelectronics 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 包装 管件    零件状态 在售  STMicroelectronics 零件状态 在售  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 零件状态 在售  STMicroelectronics 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 零件状态 在售   供应商器件封装 TO-247-3  STMicroelectronics 供应商器件封装 TO-247-3  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 供应商器件封装 TO-247-3  STMicroelectronics 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 供应商器件封装 TO-247-3   输入类型 标准  STMicroelectronics 输入类型 标准  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 输入类型 标准  STMicroelectronics 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 输入类型 标准   反向恢复时间（trr） 303ns  STMicroelectronics 反向恢复时间（trr） 303ns  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 反向恢复时间（trr） 303ns  STMicroelectronics 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 反向恢复时间（trr） 303ns   Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V  STMicroelectronics Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V  STMicroelectronics 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V   Power - Max 375W  STMicroelectronics Power - Max 375W  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Power - Max 375W  STMicroelectronics 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Power - Max 375W   Current - Collector (Ic) (Max) 50A  STMicroelectronics Current - Collector (Ic) (Max) 50A  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 50A  STMicroelectronics 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 50A   测试条件 600V，25A，10 欧姆，15V  STMicroelectronics 测试条件 600V，25A，10 欧姆，15V  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 测试条件 600V，25A，10 欧姆，15V  STMicroelectronics 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 测试条件 600V，25A，10 欧姆，15V   开关能量 600μJ（开），700μJ（关）  STMicroelectronics 开关能量 600μJ（开），700μJ（关）  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 开关能量 600μJ（开），700μJ（关）  STMicroelectronics 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 开关能量 600μJ（开），700μJ（关）   Current - Collector Pulsed (Icm) 100A  STMicroelectronics Current - Collector Pulsed (Icm) 100A  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector Pulsed (Icm) 100A  STMicroelectronics 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector Pulsed (Icm) 100A   IGBT 类型 沟槽型场截止  STMicroelectronics IGBT 类型 沟槽型场截止  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 IGBT 类型 沟槽型场截止  STMicroelectronics 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 IGBT 类型 沟槽型场截止   不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 2.6V @ 15V，25A  STMicroelectronics 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 2.6V @ 15V，25A  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 2.6V @ 15V，25A  STMicroelectronics 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 2.6V @ 15V，25A   25°C 时 Td（开/关）值 29ns/130ns  STMicroelectronics 25°C 时 Td（开/关）值 29ns/130ns  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 25°C 时 Td（开/关）值 29ns/130ns  STMicroelectronics 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 25°C 时 Td（开/关）值 29ns/130ns   栅极电荷 100nC  STMicroelectronics 栅极电荷 100nC  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 栅极电荷 100nC  STMicroelectronics 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 栅极电荷 100nC