STGWA25M120DF3,STMicroelectronics,分立半导体产品,晶体管 - UGBT,MOSFET - 单
st代理商
专业代理销售st(意法)全系列产品
库存查询
在本站结果里搜索:    
热门搜索词:电容器   Vicor   MXP7205VW   STM32F103C8T6   1379658-1   UVX  

STGWA25M120DF3 - 

IGBT 1200V 50A 375W TO247

STMicroelectronics STGWA25M120DF3
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商产品编号:
STGWA25M120DF3
仓库库存编号:
497-15136-5-ND
描述:
IGBT 1200V 50A 375W TO247
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
IGBT Trench Field Stop 1200V 50A 375W Through Hole TO-247 Long Leads
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!

STGWA25M120DF3产品属性


产品规格
  封装/外壳  TO-247-3  
  制造商  STMicroelectronics  
  安装类型  通孔  
  工作温度  -55°C ~ 175°C(TJ)  
  系列  -  
  包装  管件   
  零件状态  在售  
  供应商器件封装  TO-247 长引线  
  输入类型  标准  
  反向恢复时间(trr)  265ns  
  Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)  1200V  
  Power - Max  375W  
  Current - Collector (Ic) (Max)  50A  
  测试条件  600V,25A,15欧姆,15V  
  开关能量  850μJ(开),1.3mJ(关)  
  Current - Collector Pulsed (Icm)  100A  
  IGBT 类型  沟槽型场截止  
  不同?Vge,Ic 时的?Vce(on)  2.3V @ 15V,25A  
  25°C 时 Td(开/关)值  28ns/150ns  
  栅极电荷  85nC  
关键词         

产品资料
数据列表 STGW(A)25M120DF3
应用说明 IGBT Datasheet Tutorial
标准包装 30
其它名称 497-15136-5

STGWA25M120DF3相关搜索

封装/外壳 TO-247-3  STMicroelectronics 封装/外壳 TO-247-3  晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 封装/外壳 TO-247-3  STMicroelectronics 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 封装/外壳 TO-247-3   制造商 STMicroelectronics  STMicroelectronics 制造商 STMicroelectronics  晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 制造商 STMicroelectronics  STMicroelectronics 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 制造商 STMicroelectronics   安装类型 通孔  STMicroelectronics 安装类型 通孔  晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 安装类型 通孔  STMicroelectronics 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 安装类型 通孔   工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)  STMicroelectronics 工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)  晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)  STMicroelectronics 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)   系列 -  STMicroelectronics 系列 -  晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 系列 -  STMicroelectronics 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 系列 -   包装 管件   STMicroelectronics 包装 管件   晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 包装 管件   STMicroelectronics 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 包装 管件    零件状态 在售  STMicroelectronics 零件状态 在售  晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 零件状态 在售  STMicroelectronics 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 零件状态 在售   供应商器件封装 TO-247 长引线  STMicroelectronics 供应商器件封装 TO-247 长引线  晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 供应商器件封装 TO-247 长引线  STMicroelectronics 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 供应商器件封装 TO-247 长引线   输入类型 标准  STMicroelectronics 输入类型 标准  晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 输入类型 标准  STMicroelectronics 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 输入类型 标准   反向恢复时间(trr) 265ns  STMicroelectronics 反向恢复时间(trr) 265ns  晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 反向恢复时间(trr) 265ns  STMicroelectronics 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 反向恢复时间(trr) 265ns   Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V  STMicroelectronics Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V  晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V  STMicroelectronics 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V   Power - Max 375W  STMicroelectronics Power - Max 375W  晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Power - Max 375W  STMicroelectronics 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Power - Max 375W   Current - Collector (Ic) (Max) 50A  STMicroelectronics Current - Collector (Ic) (Max) 50A  晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 50A  STMicroelectronics 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 50A   测试条件 600V,25A,15欧姆,15V  STMicroelectronics 测试条件 600V,25A,15欧姆,15V  晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 测试条件 600V,25A,15欧姆,15V  STMicroelectronics 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 测试条件 600V,25A,15欧姆,15V   开关能量 850μJ(开),1.3mJ(关)  STMicroelectronics 开关能量 850μJ(开),1.3mJ(关)  晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 开关能量 850μJ(开),1.3mJ(关)  STMicroelectronics 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 开关能量 850μJ(开),1.3mJ(关)   Current - Collector Pulsed (Icm) 100A  STMicroelectronics Current - Collector Pulsed (Icm) 100A  晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Current - Collector Pulsed (Icm) 100A  STMicroelectronics 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Current - Collector Pulsed (Icm) 100A   IGBT 类型 沟槽型场截止  STMicroelectronics IGBT 类型 沟槽型场截止  晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 IGBT 类型 沟槽型场截止  STMicroelectronics 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 IGBT 类型 沟槽型场截止   不同?Vge,Ic 时的?Vce(on) 2.3V @ 15V,25A  STMicroelectronics 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on) 2.3V @ 15V,25A  晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on) 2.3V @ 15V,25A  STMicroelectronics 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on) 2.3V @ 15V,25A   25°C 时 Td(开/关)值 28ns/150ns  STMicroelectronics 25°C 时 Td(开/关)值 28ns/150ns  晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 25°C 时 Td(开/关)值 28ns/150ns  STMicroelectronics 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 25°C 时 Td(开/关)值 28ns/150ns   栅极电荷 85nC  STMicroelectronics 栅极电荷 85nC  晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 栅极电荷 85nC  STMicroelectronics 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 栅极电荷 85nC  
电话:400-900-3095
QQ:800152669
st(意法)简介  |  st产品  |   st动态  |  产品应用  |  st选型手册
Copyright © 2017 www.st-ic.com All Rights Reserved. 技术支持:电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号