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产品规格

封装/外壳	TO-247-3
制造商	STMicroelectronics
安装类型	通孔
工作温度	-55°C ~ 175°C（TJ）
系列	-
包装	管件
零件状态	在售
供应商器件封装	TO-247-3
输入类型	标准
反向恢复时间（trr）	355ns
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	1200V
Power - Max	468W
Current - Collector (Ic) (Max)	80A
测试条件	600V，40A，15 欧姆，15V
开关能量	1.43mJ（开），3.83mJ（关）
Current - Collector Pulsed (Icm)	160A
IGBT 类型	沟槽型场截止
不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）	2.15V @ 15V，40A
25°C 时 Td（开/关）值	35ns/148ns
栅极电荷	129nC
关键词

产品资料

数据列表	STGW(A)40S120DF3
应用说明	IGBT Datasheet Tutorial
标准包装	30
其它名称	497-15630-5

封装/外壳 TO-247-3  STMicroelectronics 封装/外壳 TO-247-3  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 封装/外壳 TO-247-3  STMicroelectronics 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 封装/外壳 TO-247-3   制造商 STMicroelectronics  STMicroelectronics 制造商 STMicroelectronics  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 制造商 STMicroelectronics  STMicroelectronics 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 制造商 STMicroelectronics   安装类型 通孔  STMicroelectronics 安装类型 通孔  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 安装类型 通孔  STMicroelectronics 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 安装类型 通孔   工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）  STMicroelectronics 工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）  STMicroelectronics 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）   系列 -  STMicroelectronics 系列 -  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 系列 -  STMicroelectronics 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 系列 -   包装 管件   STMicroelectronics 包装 管件   晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 包装 管件   STMicroelectronics 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 包装 管件    零件状态 在售  STMicroelectronics 零件状态 在售  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 零件状态 在售  STMicroelectronics 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 零件状态 在售   供应商器件封装 TO-247-3  STMicroelectronics 供应商器件封装 TO-247-3  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 供应商器件封装 TO-247-3  STMicroelectronics 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 供应商器件封装 TO-247-3   输入类型 标准  STMicroelectronics 输入类型 标准  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 输入类型 标准  STMicroelectronics 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 输入类型 标准   反向恢复时间（trr） 355ns  STMicroelectronics 反向恢复时间（trr） 355ns  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 反向恢复时间（trr） 355ns  STMicroelectronics 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 反向恢复时间（trr） 355ns   Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V  STMicroelectronics Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V  STMicroelectronics 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V   Power - Max 468W  STMicroelectronics Power - Max 468W  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Power - Max 468W  STMicroelectronics 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Power - Max 468W   Current - Collector (Ic) (Max) 80A  STMicroelectronics Current - Collector (Ic) (Max) 80A  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 80A  STMicroelectronics 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 80A   测试条件 600V，40A，15 欧姆，15V  STMicroelectronics 测试条件 600V，40A，15 欧姆，15V  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 测试条件 600V，40A，15 欧姆，15V  STMicroelectronics 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 测试条件 600V，40A，15 欧姆，15V   开关能量 1.43mJ（开），3.83mJ（关）  STMicroelectronics 开关能量 1.43mJ（开），3.83mJ（关）  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 开关能量 1.43mJ（开），3.83mJ（关）  STMicroelectronics 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 开关能量 1.43mJ（开），3.83mJ（关）   Current - Collector Pulsed (Icm) 160A  STMicroelectronics Current - Collector Pulsed (Icm) 160A  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector Pulsed (Icm) 160A  STMicroelectronics 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector Pulsed (Icm) 160A   IGBT 类型 沟槽型场截止  STMicroelectronics IGBT 类型 沟槽型场截止  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 IGBT 类型 沟槽型场截止  STMicroelectronics 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 IGBT 类型 沟槽型场截止   不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 2.15V @ 15V，40A  STMicroelectronics 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 2.15V @ 15V，40A  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 2.15V @ 15V，40A  STMicroelectronics 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 2.15V @ 15V，40A   25°C 时 Td（开/关）值 35ns/148ns  STMicroelectronics 25°C 时 Td（开/关）值 35ns/148ns  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 25°C 时 Td（开/关）值 35ns/148ns  STMicroelectronics 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 25°C 时 Td（开/关）值 35ns/148ns   栅极电荷 129nC  STMicroelectronics 栅极电荷 129nC  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 栅极电荷 129nC  STMicroelectronics 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 栅极电荷 129nC