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产品规格

封装/外壳	TO-3P-3 整包
制造商	STMicroelectronics
安装类型	通孔
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
系列	PowerMESH??
包装	管件
零件状态	在售
供应商器件封装	TO-3P
输入类型	标准
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	600V
Power - Max	79W
Current - Collector (Ic) (Max)	35A
测试条件	480V，20A，10 欧姆，15V
开关能量	300μJ（开），1.28mJ（关）
Current - Collector Pulsed (Icm)	150A
IGBT 类型	-
不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）	1.9V @ 15V，20A
25°C 时 Td（开/关）值	21.5ns/180ns
栅极电荷	96nC
关键词

产品资料

数据列表	STGx30NC60S
其它有关文件	STGWF30NC60S View All Specifications
标准包装	30
其它名称	497-10709-5

封装/外壳 TO-3P-3 整包  STMicroelectronics 封装/外壳 TO-3P-3 整包  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 封装/外壳 TO-3P-3 整包  STMicroelectronics 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 封装/外壳 TO-3P-3 整包   制造商 STMicroelectronics  STMicroelectronics 制造商 STMicroelectronics  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 制造商 STMicroelectronics  STMicroelectronics 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 制造商 STMicroelectronics   安装类型 通孔  STMicroelectronics 安装类型 通孔  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 安装类型 通孔  STMicroelectronics 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 安装类型 通孔   工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  STMicroelectronics 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  STMicroelectronics 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）   系列 PowerMESH??  STMicroelectronics 系列 PowerMESH??  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 系列 PowerMESH??  STMicroelectronics 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 系列 PowerMESH??   包装 管件   STMicroelectronics 包装 管件   晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 包装 管件   STMicroelectronics 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 包装 管件    零件状态 在售  STMicroelectronics 零件状态 在售  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 零件状态 在售  STMicroelectronics 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 零件状态 在售   供应商器件封装 TO-3P  STMicroelectronics 供应商器件封装 TO-3P  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 供应商器件封装 TO-3P  STMicroelectronics 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 供应商器件封装 TO-3P   输入类型 标准  STMicroelectronics 输入类型 标准  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 输入类型 标准  STMicroelectronics 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 输入类型 标准   Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V  STMicroelectronics Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V  STMicroelectronics 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V   Power - Max 79W  STMicroelectronics Power - Max 79W  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Power - Max 79W  STMicroelectronics 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Power - Max 79W   Current - Collector (Ic) (Max) 35A  STMicroelectronics Current - Collector (Ic) (Max) 35A  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 35A  STMicroelectronics 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 35A   测试条件 480V，20A，10 欧姆，15V  STMicroelectronics 测试条件 480V，20A，10 欧姆，15V  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 测试条件 480V，20A，10 欧姆，15V  STMicroelectronics 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 测试条件 480V，20A，10 欧姆，15V   开关能量 300μJ（开），1.28mJ（关）  STMicroelectronics 开关能量 300μJ（开），1.28mJ（关）  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 开关能量 300μJ（开），1.28mJ（关）  STMicroelectronics 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 开关能量 300μJ（开），1.28mJ（关）   Current - Collector Pulsed (Icm) 150A  STMicroelectronics Current - Collector Pulsed (Icm) 150A  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector Pulsed (Icm) 150A  STMicroelectronics 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector Pulsed (Icm) 150A   IGBT 类型 -  STMicroelectronics IGBT 类型 -  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 IGBT 类型 -  STMicroelectronics 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 IGBT 类型 -   不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 1.9V @ 15V，20A  STMicroelectronics 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 1.9V @ 15V，20A  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 1.9V @ 15V，20A  STMicroelectronics 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 1.9V @ 15V，20A   25°C 时 Td（开/关）值 21.5ns/180ns  STMicroelectronics 25°C 时 Td（开/关）值 21.5ns/180ns  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 25°C 时 Td（开/关）值 21.5ns/180ns  STMicroelectronics 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 25°C 时 Td（开/关）值 21.5ns/180ns   栅极电荷 96nC  STMicroelectronics 栅极电荷 96nC  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 栅极电荷 96nC  STMicroelectronics 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 栅极电荷 96nC