关于我们 | 联系我们

库存查询

• 非库存货

产品规格

封装/外壳	TO-3PFM，SC-93-3
制造商	STMicroelectronics
安装类型	通孔
工作温度	175°C（TJ）
系列	-
包装	管件
零件状态	在售
供应商器件封装	TO-3PF
输入类型	标准
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	600V
Current - Collector (Ic) (Max)	40A
测试条件	-
开关能量	456μJ（开），411μJ（关）
IGBT 类型	沟槽型场截止
不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）	-
25°C 时 Td（开/关）值	-
关键词

产品资料

标准包装	30

封装/外壳 TO-3PFM，SC-93-3  STMicroelectronics 封装/外壳 TO-3PFM，SC-93-3  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 封装/外壳 TO-3PFM，SC-93-3  STMicroelectronics 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 封装/外壳 TO-3PFM，SC-93-3   制造商 STMicroelectronics  STMicroelectronics 制造商 STMicroelectronics  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 制造商 STMicroelectronics  STMicroelectronics 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 制造商 STMicroelectronics   安装类型 通孔  STMicroelectronics 安装类型 通孔  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 安装类型 通孔  STMicroelectronics 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 安装类型 通孔   工作温度 175°C（TJ）  STMicroelectronics 工作温度 175°C（TJ）  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 工作温度 175°C（TJ）  STMicroelectronics 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 工作温度 175°C（TJ）   系列 -  STMicroelectronics 系列 -  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 系列 -  STMicroelectronics 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 系列 -   包装 管件   STMicroelectronics 包装 管件   晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 包装 管件   STMicroelectronics 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 包装 管件    零件状态 在售  STMicroelectronics 零件状态 在售  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 零件状态 在售  STMicroelectronics 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 零件状态 在售   供应商器件封装 TO-3PF  STMicroelectronics 供应商器件封装 TO-3PF  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 供应商器件封装 TO-3PF  STMicroelectronics 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 供应商器件封装 TO-3PF   输入类型 标准  STMicroelectronics 输入类型 标准  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 输入类型 标准  STMicroelectronics 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 输入类型 标准   Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V  STMicroelectronics Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V  STMicroelectronics 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V   Current - Collector (Ic) (Max) 40A  STMicroelectronics Current - Collector (Ic) (Max) 40A  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 40A  STMicroelectronics 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 40A   测试条件 -  STMicroelectronics 测试条件 -  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 测试条件 -  STMicroelectronics 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 测试条件 -   开关能量 456μJ（开），411μJ（关）  STMicroelectronics 开关能量 456μJ（开），411μJ（关）  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 开关能量 456μJ（开），411μJ（关）  STMicroelectronics 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 开关能量 456μJ（开），411μJ（关）   IGBT 类型 沟槽型场截止  STMicroelectronics IGBT 类型 沟槽型场截止  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 IGBT 类型 沟槽型场截止  STMicroelectronics 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 IGBT 类型 沟槽型场截止   不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） -  STMicroelectronics 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） -  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） -  STMicroelectronics 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） -   25°C 时 Td（开/关）值 -  STMicroelectronics 25°C 时 Td（开/关）值 -  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 25°C 时 Td（开/关）值 -  STMicroelectronics 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 25°C 时 Td（开/关）值 -