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STH185N10F3-2
STH185N10F3-2 -
MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-2
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
STMicroelectronics
STMicroelectronics
制造商产品编号:
STH185N10F3-2
仓库库存编号:
497-15311-1-ND
描述:
MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-2
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
表面贴装 N 沟道 180A(Tc) 315W(Tc) H2PAK
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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STH185N10F3-2产品属性
产品规格
封装/外壳
TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 凸片)变型
制造商
STMicroelectronics
安装类型
表面贴装
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
系列
STripFET? F3
包装
剪切带(CT)
零件状态
在售
供应商器件封装
H2PAK
技术
MOSFET(金属氧化物)
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
114.6nC @ 10V
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
4.5 毫欧 @ 60A,10V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
FET 类型
N 沟道
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
180A(Tc)
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
6665pF @ 25V
FET 功能
-
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250μA
功率耗散(最大值)
315W(Tc)
漏源电压(Vdss)
100V
关键词
产品资料
数据列表
STH185N10F3-2
标准包装
1
其它名称
497-15311-1
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制造商 STMicroelectronics
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安装类型 表面贴装
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工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
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系列 STripFET? F3
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包装 剪切带(CT)
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 包装 剪切带(CT)
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零件状态 在售
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 零件状态 在售
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供应商器件封装 H2PAK
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 供应商器件封装 H2PAK
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技术 MOSFET(金属氧化物)
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 技术 MOSFET(金属氧化物)
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不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 114.6nC @ 10V
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不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 4.5 毫欧 @ 60A,10V
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FET 类型 N 沟道
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电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 180A(Tc)
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不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 6665pF @ 25V
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 6665pF @ 25V
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FET 功能 -
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不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250μA
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250μA
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功率耗散(最大值) 315W(Tc)
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 功率耗散(最大值) 315W(Tc)
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漏源电压(Vdss) 100V
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 100V
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