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产品规格

封装/外壳	-
制造商	STMicroelectronics
安装类型	-
工作温度	-
系列	-
包装	剪切带（CT）
零件状态	过期
供应商器件封装	-
技术	-
不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）	-
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）	-
FET 类型	-
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）	-
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	-
FET 功能	-
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	-
功率耗散（最大值）	-
关键词

产品资料

标准包装	1
其它名称	497-11842-1 STH250N6F36

封装/外壳 -  STMicroelectronics 封装/外壳 -  晶体管 - FET，MOSFET - 单 封装/外壳 -  STMicroelectronics 晶体管 - FET，MOSFET - 单 封装/外壳 -   制造商 STMicroelectronics  STMicroelectronics 制造商 STMicroelectronics  晶体管 - FET，MOSFET - 单 制造商 STMicroelectronics  STMicroelectronics 晶体管 - FET，MOSFET - 单 制造商 STMicroelectronics   安装类型 -  STMicroelectronics 安装类型 -  晶体管 - FET，MOSFET - 单 安装类型 -  STMicroelectronics 晶体管 - FET，MOSFET - 单 安装类型 -   工作温度 -  STMicroelectronics 工作温度 -  晶体管 - FET，MOSFET - 单 工作温度 -  STMicroelectronics 晶体管 - FET，MOSFET - 单 工作温度 -   系列 -  STMicroelectronics 系列 -  晶体管 - FET，MOSFET - 单 系列 -  STMicroelectronics 晶体管 - FET，MOSFET - 单 系列 -   包装 剪切带（CT）   STMicroelectronics 包装 剪切带（CT）   晶体管 - FET，MOSFET - 单 包装 剪切带（CT）   STMicroelectronics 晶体管 - FET，MOSFET - 单 包装 剪切带（CT）    零件状态 过期  STMicroelectronics 零件状态 过期  晶体管 - FET，MOSFET - 单 零件状态 过期  STMicroelectronics 晶体管 - FET，MOSFET - 单 零件状态 过期   供应商器件封装 -  STMicroelectronics 供应商器件封装 -  晶体管 - FET，MOSFET - 单 供应商器件封装 -  STMicroelectronics 晶体管 - FET，MOSFET - 单 供应商器件封装 -   技术 -  STMicroelectronics 技术 -  晶体管 - FET，MOSFET - 单 技术 -  STMicroelectronics 晶体管 - FET，MOSFET - 单 技术 -   不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -  STMicroelectronics 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -  STMicroelectronics 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -   不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） -  STMicroelectronics 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） -  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） -  STMicroelectronics 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） -   FET 类型 -  STMicroelectronics FET 类型 -  晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 类型 -  STMicroelectronics 晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 类型 -   电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） -  STMicroelectronics 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） -  晶体管 - FET，MOSFET - 单 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） -  STMicroelectronics 晶体管 - FET，MOSFET - 单 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） -   不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） -  STMicroelectronics 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） -  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） -  STMicroelectronics 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） -   FET 功能 -  STMicroelectronics FET 功能 -  晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 功能 -  STMicroelectronics 晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 功能 -   不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） -  STMicroelectronics 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） -  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） -  STMicroelectronics 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） -   功率耗散（最大值） -  STMicroelectronics 功率耗散（最大值） -  晶体管 - FET，MOSFET - 单 功率耗散（最大值） -  STMicroelectronics 晶体管 - FET，MOSFET - 单 功率耗散（最大值） -