关于我们 | 联系我们

库存查询

• 已过时的产品。

产品规格

封装/外壳	8-PowerSMD，扁平引线
制造商	STMicroelectronics
安装类型	表面贴装
工作温度	-55°C ~ 175°C（TJ）
系列	DeepGATE?，STripFET? VI
包装	剪切带（CT）
零件状态	过期
供应商器件封装	PowerFlat?（5x6）
技术	MOSFET（金属氧化物）
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）	130nC @ 10V
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）	4.5 毫欧 @ 11A，10V
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	4.5V，10V
FET 类型	N 沟道
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）	100A（Tc）
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	8900pF @ 25V
FET 功能	-
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	2.5V @ 250μA
功率耗散（最大值）	4.8W（Tc）
漏源电压（Vdss）	60V
关键词

产品资料

标准包装	1
其它名称	497-13273-1

封装/外壳 8-PowerSMD，扁平引线  STMicroelectronics 封装/外壳 8-PowerSMD，扁平引线  晶体管 - FET，MOSFET - 单 封装/外壳 8-PowerSMD，扁平引线  STMicroelectronics 晶体管 - FET，MOSFET - 单 封装/外壳 8-PowerSMD，扁平引线   制造商 STMicroelectronics  STMicroelectronics 制造商 STMicroelectronics  晶体管 - FET，MOSFET - 单 制造商 STMicroelectronics  STMicroelectronics 晶体管 - FET，MOSFET - 单 制造商 STMicroelectronics   安装类型 表面贴装  STMicroelectronics 安装类型 表面贴装  晶体管 - FET，MOSFET - 单 安装类型 表面贴装  STMicroelectronics 晶体管 - FET，MOSFET - 单 安装类型 表面贴装   工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）  STMicroelectronics 工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）  STMicroelectronics 晶体管 - FET，MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）   系列 DeepGATE?，STripFET? VI  STMicroelectronics 系列 DeepGATE?，STripFET? VI  晶体管 - FET，MOSFET - 单 系列 DeepGATE?，STripFET? VI  STMicroelectronics 晶体管 - FET，MOSFET - 单 系列 DeepGATE?，STripFET? VI   包装 剪切带（CT）   STMicroelectronics 包装 剪切带（CT）   晶体管 - FET，MOSFET - 单 包装 剪切带（CT）   STMicroelectronics 晶体管 - FET，MOSFET - 单 包装 剪切带（CT）    零件状态 过期  STMicroelectronics 零件状态 过期  晶体管 - FET，MOSFET - 单 零件状态 过期  STMicroelectronics 晶体管 - FET，MOSFET - 单 零件状态 过期   供应商器件封装 PowerFlat?（5x6）  STMicroelectronics 供应商器件封装 PowerFlat?（5x6）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 供应商器件封装 PowerFlat?（5x6）  STMicroelectronics 晶体管 - FET，MOSFET - 单 供应商器件封装 PowerFlat?（5x6）   技术 MOSFET（金属氧化物）  STMicroelectronics 技术 MOSFET（金属氧化物）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 技术 MOSFET（金属氧化物）  STMicroelectronics 晶体管 - FET，MOSFET - 单 技术 MOSFET（金属氧化物）   Vgs（最大值） ±20V  STMicroelectronics Vgs（最大值） ±20V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 Vgs（最大值） ±20V  STMicroelectronics 晶体管 - FET，MOSFET - 单 Vgs（最大值） ±20V   不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 130nC @ 10V  STMicroelectronics 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 130nC @ 10V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 130nC @ 10V  STMicroelectronics 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 130nC @ 10V   不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 4.5 毫欧 @ 11A，10V  STMicroelectronics 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 4.5 毫欧 @ 11A，10V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 4.5 毫欧 @ 11A，10V  STMicroelectronics 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 4.5 毫欧 @ 11A，10V   驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V  STMicroelectronics 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V  STMicroelectronics 晶体管 - FET，MOSFET - 单 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V   FET 类型 N 沟道  STMicroelectronics FET 类型 N 沟道  晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 类型 N 沟道  STMicroelectronics 晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 类型 N 沟道   电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）  STMicroelectronics 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）  STMicroelectronics 晶体管 - FET，MOSFET - 单 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）   不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 8900pF @ 25V  STMicroelectronics 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 8900pF @ 25V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 8900pF @ 25V  STMicroelectronics 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 8900pF @ 25V   FET 功能 -  STMicroelectronics FET 功能 -  晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 功能 -  STMicroelectronics 晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 功能 -   不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA  STMicroelectronics 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA  STMicroelectronics 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA   功率耗散（最大值） 4.8W（Tc）  STMicroelectronics 功率耗散（最大值） 4.8W（Tc）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 功率耗散（最大值） 4.8W（Tc）  STMicroelectronics 晶体管 - FET，MOSFET - 单 功率耗散（最大值） 4.8W（Tc）   漏源电压（Vdss） 60V  STMicroelectronics 漏源电压（Vdss） 60V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 漏源电压（Vdss） 60V  STMicroelectronics 晶体管 - FET，MOSFET - 单 漏源电压（Vdss） 60V