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产品规格

封装/外壳	8-PowerVDFN
制造商	STMicroelectronics
安装类型	表面贴装
工作温度	-55°C ~ 175°C（TJ）
系列	-
包装	带卷（TR）
零件状态	在售
供应商器件封装	PowerFlat?（5x6）
不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）	22.5nC @ 10V
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）	40 毫欧 @ 4A，10V
FET 类型	2 个 N 沟道（双）
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）	20A
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	670pF @ 25V
FET 功能	逻辑电平门
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	2.5V @ 250μA
漏源电压（Vdss）	60V
功率 - 最大值	75W
关键词

产品资料

数据列表	Power Management Guide Brochure STL20DNF06LAG Datasheet
应用说明	Impact of Pwr MOSFET VGS on Buck Converter Performance Power MOSFET: Rg Impact Avalanche Issue: Comparing IAR,EAS Parameters MOSFET Technologies for Uninterruptible Pwr Supplies
标准包装	3,000

封装/外壳 8-PowerVDFN  STMicroelectronics 封装/外壳 8-PowerVDFN  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 封装/外壳 8-PowerVDFN  STMicroelectronics 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 封装/外壳 8-PowerVDFN   制造商 STMicroelectronics  STMicroelectronics 制造商 STMicroelectronics  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 制造商 STMicroelectronics  STMicroelectronics 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 制造商 STMicroelectronics   安装类型 表面贴装  STMicroelectronics 安装类型 表面贴装  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 安装类型 表面贴装  STMicroelectronics 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 安装类型 表面贴装   工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）  STMicroelectronics 工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）  STMicroelectronics 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）   系列 -  STMicroelectronics 系列 -  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 系列 -  STMicroelectronics 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 系列 -   包装 带卷（TR）   STMicroelectronics 包装 带卷（TR）   晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 包装 带卷（TR）   STMicroelectronics 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 包装 带卷（TR）    零件状态 在售  STMicroelectronics 零件状态 在售  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 零件状态 在售  STMicroelectronics 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 零件状态 在售   供应商器件封装 PowerFlat?（5x6）  STMicroelectronics 供应商器件封装 PowerFlat?（5x6）  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 供应商器件封装 PowerFlat?（5x6）  STMicroelectronics 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 供应商器件封装 PowerFlat?（5x6）   不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22.5nC @ 10V  STMicroelectronics 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22.5nC @ 10V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22.5nC @ 10V  STMicroelectronics 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22.5nC @ 10V   不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 40 毫欧 @ 4A，10V  STMicroelectronics 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 40 毫欧 @ 4A，10V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 40 毫欧 @ 4A，10V  STMicroelectronics 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 40 毫欧 @ 4A，10V   FET 类型 2 个 N 沟道（双）  STMicroelectronics FET 类型 2 个 N 沟道（双）  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 类型 2 个 N 沟道（双）  STMicroelectronics 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 类型 2 个 N 沟道（双）   电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 20A  STMicroelectronics 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 20A  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 20A  STMicroelectronics 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 20A   不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 670pF @ 25V  STMicroelectronics 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 670pF @ 25V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 670pF @ 25V  STMicroelectronics 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 670pF @ 25V   FET 功能 逻辑电平门  STMicroelectronics FET 功能 逻辑电平门  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 功能 逻辑电平门  STMicroelectronics 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 功能 逻辑电平门   不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA  STMicroelectronics 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA  STMicroelectronics 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA   漏源电压（Vdss） 60V  STMicroelectronics 漏源电压（Vdss） 60V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 漏源电压（Vdss） 60V  STMicroelectronics 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 漏源电压（Vdss） 60V   功率 - 最大值 75W  STMicroelectronics 功率 - 最大值 75W  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 功率 - 最大值 75W  STMicroelectronics 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 功率 - 最大值 75W