STL42P4LLF6,STMicroelectronics,分立半导体产品,晶体管 - FET,MOSFET - 单
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STL42P4LLF6
STL42P4LLF6 -
MOSFET P-CH 40V 42A 8POWERFLAT
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
STMicroelectronics
STMicroelectronics
制造商产品编号:
STL42P4LLF6
仓库库存编号:
497-15478-1-ND
描述:
MOSFET P-CH 40V 42A 8POWERFLAT
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
表面贴装 P 沟道 42A(Tc) 75W(Tc) PowerFlat?(5x6)
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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STL42P4LLF6产品属性
产品规格
封装/外壳
8-PowerSMD,扁平引线
制造商
STMicroelectronics
安装类型
表面贴装
工作温度
175°C(TJ)
系列
STripFET? F6
包装
剪切带(CT)
零件状态
在售
供应商器件封装
PowerFlat?(5x6)
技术
MOSFET(金属氧化物)
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
22nC @ 4.5V
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
18 毫欧 @ 5A,10V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V
FET 类型
P 沟道
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
42A(Tc)
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
2850pF @ 25V
FET 功能
-
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
2.5V @ 250μA
功率耗散(最大值)
75W(Tc)
漏源电压(Vdss)
40V
关键词
产品资料
数据列表
STL42P4LLF6
标准包装
1
其它名称
497-15478-1
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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型号:
SI7998DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7998DP-T1-GE3CT-ND
别名:SI7998DP-T1-GE3CT
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET P-CH 60V 42A 8POWERFLAT
详细描述:表面贴装 P 沟道 42A(Tc) 100W(Tc) PowerFlat?(5x6)
型号:
STL42P6LLF6
仓库库存编号:
497-15479-1-ND
别名:497-15479-1
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET P-CH 40V 60A 8POWERFLAT
详细描述:表面贴装 P 沟道 60A(Tc) 100W(Tc) PowerFlat?(5x6)
型号:
STL60P4LLF6
仓库库存编号:
497-15480-1-ND
别名:497-15480-1
无铅
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型号:
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仓库库存编号:
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别名:497-16034-1
无铅
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型号:
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