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STL45N65M5 - 

MOSFET N-CH 650V 22.5A 4PWRFLAT

STMicroelectronics STL45N65M5
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
STL45N65M5
仓库库存编号：
497-13776-1-ND
描述：
MOSFET N-CH 650V 22.5A 4PWRFLAT
ROHS：
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）：
3（168 小时）
详细描述：
表面贴装 N 沟道 3.8A（Ta），22.5A（Tc） 2.8W（Ta），160W（Tc） PowerFLAT?（8x8）
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大，部分产品信息可能未能及时更新，下单前请与销售人员确认好实时在库数量，谢谢合作！

STL45N65M5产品属性


产品规格
  封装/外壳  8-PowerVDFN  
  制造商  STMicroelectronics  
  安装类型  表面贴装  
  工作温度  -55°C ~ 150°C（TJ）  
  系列  MDmesh? V  
  包装  剪切带（CT）   
  零件状态  在售  
  供应商器件封装  PowerFLAT?（8x8）  
  技术  MOSFET（金属氧化物）  
  Vgs（最大值）  ±25V  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）  82nC @ 10V  
  不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）  86 毫欧 @ 14.5A，10V  
  驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）  10V  
  FET 类型  N 沟道  
  电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）  3.8A（Ta），22.5A（Tc）  
  不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）  3470pF @ 100V  
  FET 功能  -  
  不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）  5V @ 250μA  
  功率耗散（最大值）  2.8W（Ta），160W（Tc）  
  漏源电压（Vdss）  650V  
关键词         

产品资料
数据列表 STL45N65M5
标准包装 1
其它名称 497-13776-1

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