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产品规格

封装/外壳	8-PowerVDFN
制造商	STMicroelectronics
安装类型	表面贴装
工作温度	-55°C ~ 175°C（TJ）
系列	STripFET??
包装	剪切带（CT）
零件状态	在售
供应商器件封装	PowerFlat?（5x6）
不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）	17nC @ 10V
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）	11 毫欧 @ 7.5A，10V
FET 类型	2 个 N 沟道（双）
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）	57A（Tc）
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	1035pF @ 30V
FET 功能	标准
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	4V @ 250μA
漏源电压（Vdss）	60V
功率 - 最大值	62.5W
关键词

产品资料

数据列表	Spice Model Tutorial for Power MOSFETS STL50DN6F7 Datasheet
应用说明	AN3267 Appl Note AN4191 Appl Note AN4390 Appl Note The Avalanche Issue AN4789 Appl Note
设计资源	STL50DN6F7 PSpice Model
标准包装	1
其它名称	497-16488-1

封装/外壳 8-PowerVDFN  STMicroelectronics 封装/外壳 8-PowerVDFN  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 封装/外壳 8-PowerVDFN  STMicroelectronics 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 封装/外壳 8-PowerVDFN   制造商 STMicroelectronics  STMicroelectronics 制造商 STMicroelectronics  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 制造商 STMicroelectronics  STMicroelectronics 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 制造商 STMicroelectronics   安装类型 表面贴装  STMicroelectronics 安装类型 表面贴装  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 安装类型 表面贴装  STMicroelectronics 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 安装类型 表面贴装   工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）  STMicroelectronics 工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）  STMicroelectronics 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）   系列 STripFET??  STMicroelectronics 系列 STripFET??  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 系列 STripFET??  STMicroelectronics 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 系列 STripFET??   包装 剪切带（CT）   STMicroelectronics 包装 剪切带（CT）   晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 包装 剪切带（CT）   STMicroelectronics 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 包装 剪切带（CT）    零件状态 在售  STMicroelectronics 零件状态 在售  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 零件状态 在售  STMicroelectronics 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 零件状态 在售   供应商器件封装 PowerFlat?（5x6）  STMicroelectronics 供应商器件封装 PowerFlat?（5x6）  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 供应商器件封装 PowerFlat?（5x6）  STMicroelectronics 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 供应商器件封装 PowerFlat?（5x6）   不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17nC @ 10V  STMicroelectronics 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17nC @ 10V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17nC @ 10V  STMicroelectronics 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17nC @ 10V   不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 11 毫欧 @ 7.5A，10V  STMicroelectronics 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 11 毫欧 @ 7.5A，10V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 11 毫欧 @ 7.5A，10V  STMicroelectronics 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 11 毫欧 @ 7.5A，10V   FET 类型 2 个 N 沟道（双）  STMicroelectronics FET 类型 2 个 N 沟道（双）  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 类型 2 个 N 沟道（双）  STMicroelectronics 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 类型 2 个 N 沟道（双）   电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 57A（Tc）  STMicroelectronics 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 57A（Tc）  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 57A（Tc）  STMicroelectronics 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 57A（Tc）   不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1035pF @ 30V  STMicroelectronics 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1035pF @ 30V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1035pF @ 30V  STMicroelectronics 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1035pF @ 30V   FET 功能 标准  STMicroelectronics FET 功能 标准  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 功能 标准  STMicroelectronics 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 功能 标准   不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA  STMicroelectronics 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA  STMicroelectronics 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA   漏源电压（Vdss） 60V  STMicroelectronics 漏源电压（Vdss） 60V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 漏源电压（Vdss） 60V  STMicroelectronics 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 漏源电压（Vdss） 60V   功率 - 最大值 62.5W  STMicroelectronics 功率 - 最大值 62.5W  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 功率 - 最大值 62.5W  STMicroelectronics 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 功率 - 最大值 62.5W