STP160N3LL,STMicroelectronics,分立半导体产品,晶体管 - FET,MOSFET - 单
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STP160N3LL
STP160N3LL -
MOSFET N-CH 30V 120A TO-220AB
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
STMicroelectronics
STMicroelectronics
制造商产品编号:
STP160N3LL
仓库库存编号:
497-16021-5-ND
描述:
MOSFET N-CH 30V 120A TO-220AB
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
通孔 N 沟道 120A(Tc) 136W(Tc) TO-220
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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STP160N3LL产品属性
产品规格
封装/外壳
TO-220-3
制造商
STMicroelectronics
安装类型
通孔
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
系列
STripFET? H6
包装
管件
零件状态
在售
供应商器件封装
TO-220
技术
MOSFET(金属氧化物)
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
42nC @ 4.5V
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
3.2 毫欧 @ 60A,10V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V
FET 类型
N 沟道
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
120A(Tc)
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
3500pF @ 25V
FET 功能
-
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
2.5V @ 250μA
功率耗散(最大值)
136W(Tc)
漏源电压(Vdss)
30V
关键词
产品资料
数据列表
STP160N3LL
标准包装
50
其它名称
497-16021-5
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参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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操作
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MOSFET N-CH 30V 78A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 78A(Tc) 140W(Tc) TO-220AB
型号:
IRLB8743PBF
仓库库存编号:
IRLB8743PBF-ND
别名:SP001572884
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 100A(Tc) 270W(Tc) TO-220AB
型号:
PSMN1R8-30PL,127
仓库库存编号:
1727-4388-ND
别名:1727-4388
568-5234
568-5234-5
568-5234-5-ND
568-5234-ND
934064002127
PSMN1R830PL127
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 30V 100A(Tc) 114W(Tc) TO-220AB
型号:
PSMN3R4-30PL,127
仓库库存编号:
1727-5895-ND
别名:1727-5895
568-7514-5
568-7514-5-ND
934064004127
PSMN3R4-30PL,127-ND
PSMN3R430PL127
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 78A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 78A(Tc) 140W(Tc) TO-220AB
型号:
IRLB4132PBF
仓库库存编号:
IRLB4132PBF-ND
别名:SP001558130
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