STP4N62K3,STMicroelectronics,分立半导体产品,晶体管 - FET,MOSFET - 单
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STP4N62K3
STP4N62K3 -
MOSFET N-CH 620V 3.8A TO-220
已过时的产品。
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
STMicroelectronics
STMicroelectronics
制造商产品编号:
STP4N62K3
仓库库存编号:
497-10651-5-ND
描述:
MOSFET N-CH 620V 3.8A TO-220
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
通孔 N 沟道 620V 3.8A(Tc) 70W(Tc) TO-220
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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STP4N62K3产品属性
产品规格
封装/外壳
TO-220-3
制造商
STMicroelectronics
安装类型
通孔
工作温度
150°C(TJ)
系列
SuperMESH3??
包装
管件
零件状态
过期
供应商器件封装
TO-220
技术
MOSFET(金属氧化物)
Vgs(最大值)
±30V
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
14nC @ 10V
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
1.95 欧姆 @ 1.9A,10V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
FET 类型
N 沟道
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
3.8A(Tc)
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
450pF @ 50V
FET 功能
-
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
4.5V @ 50μA
功率耗散(最大值)
70W(Tc)
漏源电压(Vdss)
620V
关键词
产品资料
数据列表
STx(I)4N62K3
标准包装
50
其它名称
497-10651-5
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封装/外壳 TO-220-3
STMicroelectronics 封装/外壳 TO-220-3
晶体管 - FET,MOSFET - 单 封装/外壳 TO-220-3
STMicroelectronics 晶体管 - FET,MOSFET - 单 封装/外壳 TO-220-3
制造商 STMicroelectronics
STMicroelectronics 制造商 STMicroelectronics
晶体管 - FET,MOSFET - 单 制造商 STMicroelectronics
STMicroelectronics 晶体管 - FET,MOSFET - 单 制造商 STMicroelectronics
安装类型 通孔
STMicroelectronics 安装类型 通孔
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工作温度 150°C(TJ)
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 工作温度 150°C(TJ)
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系列 SuperMESH3??
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 系列 SuperMESH3??
STMicroelectronics 晶体管 - FET,MOSFET - 单 系列 SuperMESH3??
包装 管件
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 包装 管件
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零件状态 过期
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 零件状态 过期
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供应商器件封装 TO-220
STMicroelectronics 供应商器件封装 TO-220
晶体管 - FET,MOSFET - 单 供应商器件封装 TO-220
STMicroelectronics 晶体管 - FET,MOSFET - 单 供应商器件封装 TO-220
技术 MOSFET(金属氧化物)
STMicroelectronics 技术 MOSFET(金属氧化物)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 技术 MOSFET(金属氧化物)
STMicroelectronics 晶体管 - FET,MOSFET - 单 技术 MOSFET(金属氧化物)
Vgs(最大值) ±30V
STMicroelectronics Vgs(最大值) ±30V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 Vgs(最大值) ±30V
STMicroelectronics 晶体管 - FET,MOSFET - 单 Vgs(最大值) ±30V
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 14nC @ 10V
STMicroelectronics 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 14nC @ 10V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 14nC @ 10V
STMicroelectronics 晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 14nC @ 10V
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 1.95 欧姆 @ 1.9A,10V
STMicroelectronics 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 1.95 欧姆 @ 1.9A,10V
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驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
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FET 类型 N 沟道
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电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 3.8A(Tc)
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不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 450pF @ 50V
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 450pF @ 50V
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FET 功能 -
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 功能 -
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不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4.5V @ 50μA
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4.5V @ 50μA
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功率耗散(最大值) 70W(Tc)
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 功率耗散(最大值) 70W(Tc)
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漏源电压(Vdss) 620V
STMicroelectronics 漏源电压(Vdss) 620V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 620V
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