STP5NK100Z,STMicroelectronics,分立半导体产品,晶体管 - FET,MOSFET - 单
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STP5NK100Z
STP5NK100Z -
MOSFET N-CH 1KV 3.5A TO-220
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
STMicroelectronics
STMicroelectronics
制造商产品编号:
STP5NK100Z
仓库库存编号:
497-4382-5-ND
描述:
MOSFET N-CH 1KV 3.5A TO-220
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
通孔 N 沟道 3.5A(Tc) 125W(Tc) TO-220AB
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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STP5NK100Z产品属性
产品规格
封装/外壳
TO-220-3
制造商
STMicroelectronics
安装类型
通孔
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
系列
SuperMESH3??
包装
管件
零件状态
在售
供应商器件封装
TO-220AB
技术
MOSFET(金属氧化物)
Vgs(最大值)
±30V
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
59nC @ 10V
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
3.7 欧姆 @ 1.75A,10V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
FET 类型
N 沟道
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
3.5A(Tc)
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
1154pF @ 25V
FET 功能
-
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
4.5V @ 100μA
功率耗散(最大值)
125W(Tc)
漏源电压(Vdss)
1000V
关键词
产品资料
数据列表
STx5NK100Z
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标准包装
50
其它名称
497-4382-5
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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MOSFET N-CH 200V 9A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 9A(Tc) 75W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF630
仓库库存编号:
497-2757-5-ND
别名:497-2757-5
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 1500V 4A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 4A(Tc) 160W(Tc) TO-220AB
型号:
STP4N150
仓库库存编号:
497-5091-5-ND
别名:497-5091-5
无铅
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详细描述:通孔 N 沟道 200mA(Tc) 400mW(Ta) TO-92-3
型号:
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仓库库存编号:
2N7000TACT-ND
别名:2N7000TACT
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STMicroelectronics
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详细描述:通孔 N 沟道 12A(Tc) 35W(Tc) TO-220FP
型号:
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仓库库存编号:
497-13753-5-ND
别名:497-13753-5
无铅
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STMicroelectronics
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详细描述:通孔 N 沟道 20A(Tc) 170W(Tc) TO-220
型号:
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仓库库存编号:
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别名:497-15559-5
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