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STP7NM80 - 

MOSFET N-CH 800V 6.5A TO-220

STMicroelectronics STP7NM80
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商产品编号:
STP7NM80
仓库库存编号:
497-8813-5-ND
描述:
MOSFET N-CH 800V 6.5A TO-220
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
通孔 N 沟道 6.5A(Tc) 90W(Tc) TO-220-3
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!

STP7NM80产品属性


产品规格
  封装/外壳  TO-220-3  
  制造商  STMicroelectronics  
  安装类型  通孔  
  工作温度  -55°C ~ 150°C(TJ)  
  系列  MDmesh??  
  包装  管件   
  零件状态  在售  
  供应商器件封装  TO-220-3  
  技术  MOSFET(金属氧化物)  
  Vgs(最大值)  ±30V  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)  18nC @ 10V  
  不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)  1.05 欧姆 @ 3.25A,10V  
  驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)  10V  
  FET 类型  N 沟道  
  电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)  6.5A(Tc)  
  不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)  620pF @ 25V  
  FET 功能  -  
  不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)  5V @ 250μA  
  功率耗散(最大值)  90W(Tc)  
  漏源电压(Vdss)  800V  
关键词         

产品资料
数据列表 STx7NM80(-1) Datasheet
其它有关文件 STP7NM80 View All Specifications
应用说明 The Alalanche Issue
Fishbone Diagram for Power Factor Correction
Paralleling of Power MOSFETS
AN2344 Appl Note
标准包装 50
其它名称 497-8813-5
STP7NM80-ND

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