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产品规格

封装/外壳	8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
制造商	STMicroelectronics
安装类型	表面贴装
工作温度	150°C（TJ）
系列	-
包装	剪切带（CT）
零件状态	过期
供应商器件封装	8-SO
晶体管类型	NPN，PNP
不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）	100 @ 1A，2V
电流 - 集电极截止（最大值）	1μA
不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）	700mV @ 100mA，2A
频率 - 跃迁	-
功率 - 最大值	2W
电流 - 集电极（Ic）（最大值）	3A
电压 - 集射极击穿（最大值）	30V
关键词

产品资料

数据列表	STS01DTP06
标准包装	1
其它名称	497-4518-1

封装/外壳 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）  STMicroelectronics 封装/外壳 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 封装/外壳 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）  STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 封装/外壳 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）   制造商 STMicroelectronics  STMicroelectronics 制造商 STMicroelectronics  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 制造商 STMicroelectronics  STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 制造商 STMicroelectronics   安装类型 表面贴装  STMicroelectronics 安装类型 表面贴装  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 安装类型 表面贴装  STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 安装类型 表面贴装   工作温度 150°C（TJ）  STMicroelectronics 工作温度 150°C（TJ）  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 工作温度 150°C（TJ）  STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 工作温度 150°C（TJ）   系列 -  STMicroelectronics 系列 -  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 系列 -  STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 系列 -   包装 剪切带（CT）   STMicroelectronics 包装 剪切带（CT）   晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 包装 剪切带（CT）   STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 包装 剪切带（CT）    零件状态 过期  STMicroelectronics 零件状态 过期  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 零件状态 过期  STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 零件状态 过期   供应商器件封装 8-SO  STMicroelectronics 供应商器件封装 8-SO  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 供应商器件封装 8-SO  STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 供应商器件封装 8-SO   晶体管类型 NPN，PNP  STMicroelectronics 晶体管类型 NPN，PNP  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 晶体管类型 NPN，PNP  STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 晶体管类型 NPN，PNP   不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 100 @ 1A，2V  STMicroelectronics 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 100 @ 1A，2V  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 100 @ 1A，2V  STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 100 @ 1A，2V   电流 - 集电极截止（最大值） 1μA  STMicroelectronics 电流 - 集电极截止（最大值） 1μA  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 电流 - 集电极截止（最大值） 1μA  STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 电流 - 集电极截止（最大值） 1μA   不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 700mV @ 100mA，2A  STMicroelectronics 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 700mV @ 100mA，2A  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 700mV @ 100mA，2A  STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 700mV @ 100mA，2A   频率 - 跃迁 -  STMicroelectronics 频率 - 跃迁 -  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 频率 - 跃迁 -  STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 频率 - 跃迁 -   功率 - 最大值 2W  STMicroelectronics 功率 - 最大值 2W  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 功率 - 最大值 2W  STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 功率 - 最大值 2W   电流 - 集电极（Ic）（最大值） 3A  STMicroelectronics 电流 - 集电极（Ic）（最大值） 3A  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 电流 - 集电极（Ic）（最大值） 3A  STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 电流 - 集电极（Ic）（最大值） 3A   电压 - 集射极击穿（最大值） 30V  STMicroelectronics 电压 - 集射极击穿（最大值） 30V  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 电压 - 集射极击穿（最大值） 30V  STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 电压 - 集射极击穿（最大值） 30V