STS9NH3LL,STMicroelectronics,分立半导体产品,晶体管 - FET,MOSFET - 单
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STS9NH3LL
STS9NH3LL -
MOSFET N-CH 30V 9A 8-SOIC
已过时的产品。
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
STMicroelectronics
STMicroelectronics
制造商产品编号:
STS9NH3LL
仓库库存编号:
497-6189-1-ND
描述:
MOSFET N-CH 30V 9A 8-SOIC
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
表面贴装 N 沟道 9A(Tc) 2.5W(Tc) 8-SO
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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STS9NH3LL产品属性
产品规格
封装/外壳
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
制造商
STMicroelectronics
安装类型
表面贴装
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
系列
STripFET?? III
包装
剪切带(CT)
零件状态
过期
供应商器件封装
8-SO
技术
MOSFET(金属氧化物)
Vgs(最大值)
±16V
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
10nC @ 4.5V
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
22 毫欧 @ 4.5A,10V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V
FET 类型
N 沟道
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
9A(Tc)
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
857pF @ 25V
FET 功能
-
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
1V @ 250μA
功率耗散(最大值)
2.5W(Tc)
漏源电压(Vdss)
30V
关键词
产品资料
数据列表
STS9NH3LL
标准包装
1
其它名称
497-6189-1
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封装/外壳 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 封装/外壳 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
STMicroelectronics 晶体管 - FET,MOSFET - 单 封装/外壳 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
制造商 STMicroelectronics
STMicroelectronics 制造商 STMicroelectronics
晶体管 - FET,MOSFET - 单 制造商 STMicroelectronics
STMicroelectronics 晶体管 - FET,MOSFET - 单 制造商 STMicroelectronics
安装类型 表面贴装
STMicroelectronics 安装类型 表面贴装
晶体管 - FET,MOSFET - 单 安装类型 表面贴装
STMicroelectronics 晶体管 - FET,MOSFET - 单 安装类型 表面贴装
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
STMicroelectronics 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
STMicroelectronics 晶体管 - FET,MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
系列 STripFET?? III
STMicroelectronics 系列 STripFET?? III
晶体管 - FET,MOSFET - 单 系列 STripFET?? III
STMicroelectronics 晶体管 - FET,MOSFET - 单 系列 STripFET?? III
包装 剪切带(CT)
STMicroelectronics 包装 剪切带(CT)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 包装 剪切带(CT)
STMicroelectronics 晶体管 - FET,MOSFET - 单 包装 剪切带(CT)
零件状态 过期
STMicroelectronics 零件状态 过期
晶体管 - FET,MOSFET - 单 零件状态 过期
STMicroelectronics 晶体管 - FET,MOSFET - 单 零件状态 过期
供应商器件封装 8-SO
STMicroelectronics 供应商器件封装 8-SO
晶体管 - FET,MOSFET - 单 供应商器件封装 8-SO
STMicroelectronics 晶体管 - FET,MOSFET - 单 供应商器件封装 8-SO
技术 MOSFET(金属氧化物)
STMicroelectronics 技术 MOSFET(金属氧化物)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 技术 MOSFET(金属氧化物)
STMicroelectronics 晶体管 - FET,MOSFET - 单 技术 MOSFET(金属氧化物)
Vgs(最大值) ±16V
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 Vgs(最大值) ±16V
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不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10nC @ 4.5V
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10nC @ 4.5V
STMicroelectronics 晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10nC @ 4.5V
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 22 毫欧 @ 4.5A,10V
STMicroelectronics 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 22 毫欧 @ 4.5A,10V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 22 毫欧 @ 4.5A,10V
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驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
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FET 类型 N 沟道
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 类型 N 沟道
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电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 9A(Tc)
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不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 857pF @ 25V
STMicroelectronics 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 857pF @ 25V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 857pF @ 25V
STMicroelectronics 晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 857pF @ 25V
FET 功能 -
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 功能 -
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不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250μA
STMicroelectronics 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250μA
晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250μA
STMicroelectronics 晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250μA
功率耗散(最大值) 2.5W(Tc)
STMicroelectronics 功率耗散(最大值) 2.5W(Tc)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 功率耗散(最大值) 2.5W(Tc)
STMicroelectronics 晶体管 - FET,MOSFET - 单 功率耗散(最大值) 2.5W(Tc)
漏源电压(Vdss) 30V
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 30V
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