STU27N3LH5,STMicroelectronics,分立半导体产品,晶体管 - FET,MOSFET - 单
st代理商
专业代理销售st(意法)全系列产品
库存查询
在本站结果里搜索:    
热门搜索词:电容器   Vicor   MXP7205VW   STM32F103C8T6   1379658-1   UVX  

STU27N3LH5 - 

MOSFET N-CH 30V 27A IPAK

  • 已过时的产品。
STMicroelectronics STU27N3LH5
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商产品编号:
STU27N3LH5
仓库库存编号:
STU27N3LH5-ND
描述:
MOSFET N-CH 30V 27A IPAK
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
通孔 N 沟道 30V 27A(Tc) 30W(Tc) I-Pak
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!

STU27N3LH5产品属性


产品规格
  封装/外壳  TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA  
  制造商  STMicroelectronics  
  安装类型  通孔  
  工作温度  -55°C ~ 175°C(TJ)  
  系列  STripFET?? V  
  包装  管件   
  零件状态  过期  
  供应商器件封装  I-Pak  
  技术  MOSFET(金属氧化物)  
  Vgs(最大值)  ±22V  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)  4.6nC @ 5V  
  不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)  20 毫欧 @ 13.5A,10V  
  驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)  4.5V,10V  
  FET 类型  N 沟道  
  电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)  27A(Tc)  
  不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)  475pF @ 25V  
  FET 功能  -  
  不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)  1V @ 250μA  
  功率耗散(最大值)  30W(Tc)  
  漏源电压(Vdss)  30V  
关键词         

产品资料
数据列表 STx27N3LH5
标准包装 75

STU27N3LH5相关搜索

封装/外壳 TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA  STMicroelectronics 封装/外壳 TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA  晶体管 - FET,MOSFET - 单 封装/外壳 TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA  STMicroelectronics 晶体管 - FET,MOSFET - 单 封装/外壳 TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA   制造商 STMicroelectronics  STMicroelectronics 制造商 STMicroelectronics  晶体管 - FET,MOSFET - 单 制造商 STMicroelectronics  STMicroelectronics 晶体管 - FET,MOSFET - 单 制造商 STMicroelectronics   安装类型 通孔  STMicroelectronics 安装类型 通孔  晶体管 - FET,MOSFET - 单 安装类型 通孔  STMicroelectronics 晶体管 - FET,MOSFET - 单 安装类型 通孔   工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)  STMicroelectronics 工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)  晶体管 - FET,MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)  STMicroelectronics 晶体管 - FET,MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)   系列 STripFET?? V  STMicroelectronics 系列 STripFET?? V  晶体管 - FET,MOSFET - 单 系列 STripFET?? V  STMicroelectronics 晶体管 - FET,MOSFET - 单 系列 STripFET?? V   包装 管件   STMicroelectronics 包装 管件   晶体管 - FET,MOSFET - 单 包装 管件   STMicroelectronics 晶体管 - FET,MOSFET - 单 包装 管件    零件状态 过期  STMicroelectronics 零件状态 过期  晶体管 - FET,MOSFET - 单 零件状态 过期  STMicroelectronics 晶体管 - FET,MOSFET - 单 零件状态 过期   供应商器件封装 I-Pak  STMicroelectronics 供应商器件封装 I-Pak  晶体管 - FET,MOSFET - 单 供应商器件封装 I-Pak  STMicroelectronics 晶体管 - FET,MOSFET - 单 供应商器件封装 I-Pak   技术 MOSFET(金属氧化物)  STMicroelectronics 技术 MOSFET(金属氧化物)  晶体管 - FET,MOSFET - 单 技术 MOSFET(金属氧化物)  STMicroelectronics 晶体管 - FET,MOSFET - 单 技术 MOSFET(金属氧化物)   Vgs(最大值) ±22V  STMicroelectronics Vgs(最大值) ±22V  晶体管 - FET,MOSFET - 单 Vgs(最大值) ±22V  STMicroelectronics 晶体管 - FET,MOSFET - 单 Vgs(最大值) ±22V   不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 4.6nC @ 5V  STMicroelectronics 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 4.6nC @ 5V  晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 4.6nC @ 5V  STMicroelectronics 晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 4.6nC @ 5V   不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 20 毫欧 @ 13.5A,10V  STMicroelectronics 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 20 毫欧 @ 13.5A,10V  晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 20 毫欧 @ 13.5A,10V  STMicroelectronics 晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 20 毫欧 @ 13.5A,10V   驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V  STMicroelectronics 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V  晶体管 - FET,MOSFET - 单 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V  STMicroelectronics 晶体管 - FET,MOSFET - 单 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V   FET 类型 N 沟道  STMicroelectronics FET 类型 N 沟道  晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 类型 N 沟道  STMicroelectronics 晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 类型 N 沟道   电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 27A(Tc)  STMicroelectronics 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 27A(Tc)  晶体管 - FET,MOSFET - 单 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 27A(Tc)  STMicroelectronics 晶体管 - FET,MOSFET - 单 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 27A(Tc)   不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 475pF @ 25V  STMicroelectronics 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 475pF @ 25V  晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 475pF @ 25V  STMicroelectronics 晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 475pF @ 25V   FET 功能 -  STMicroelectronics FET 功能 -  晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 功能 -  STMicroelectronics 晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 功能 -   不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250μA  STMicroelectronics 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250μA  晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250μA  STMicroelectronics 晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250μA   功率耗散(最大值) 30W(Tc)  STMicroelectronics 功率耗散(最大值) 30W(Tc)  晶体管 - FET,MOSFET - 单 功率耗散(最大值) 30W(Tc)  STMicroelectronics 晶体管 - FET,MOSFET - 单 功率耗散(最大值) 30W(Tc)   漏源电压(Vdss) 30V  STMicroelectronics 漏源电压(Vdss) 30V  晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 30V  STMicroelectronics 晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 30V  
电话:400-900-3095
QQ:800152669
st(意法)简介  |  st产品  |   st动态  |  产品应用  |  st选型手册
Copyright © 2017 www.st-ic.com All Rights Reserved. 技术支持:电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号