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STU3LN80K5 - 

MOSFET N-CH 800V 2A IPAK

STMicroelectronics STU3LN80K5
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商产品编号:
STU3LN80K5
仓库库存编号:
497-17295-ND
描述:
MOSFET N-CH 800V 2A IPAK
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
通孔 N 沟道 2A(Tc) 45W(Tc) IPAK(TO-251)
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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STU3LN80K5产品属性


产品规格
  封装/外壳  TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA  
  制造商  STMicroelectronics  
  安装类型  通孔  
  工作温度  -55°C ~ 150°C(TJ)  
  系列  MDmesh? K5  
  零件状态  在售  
  供应商器件封装  IPAK(TO-251)  
  技术  MOSFET(金属氧化物)  
  Vgs(最大值)  ±30V  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)  2.63nC @ 10V  
  不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)  3.25 欧姆 @ 1A,10V  
  驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)  10V  
  FET 类型  N 沟道  
  电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)  2A(Tc)  
  不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)  102pF @ 100V  
  FET 功能  -  
  不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)  5V @ 100μA  
  功率耗散(最大值)  45W(Tc)  
  漏源电压(Vdss)  800V  
关键词         

产品资料
数据列表 STx3N80K5
Power Management Guide Brochure
STP3LN80K5, STU3LN80K5 Datasheet
应用说明 Power MOSFET Avalanche Characteristics
Paralleling of Pwr MOSFETs in PFC Topology
Fishbone Diagram for Pwr Factor Correction
Avalanche Issue: Comparing IAR,EAS Parameters
标准包装 3,000
其它名称 497-17295
STU3LN80K5-ND

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