STW8N90K5,STMicroelectronics,分立半导体产品,晶体管 - FET,MOSFET - 单
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
>
分立半导体产品
>
晶体管 - FET,MOSFET - 单
>
STW8N90K5
STW8N90K5 -
N-CHANNEL 900 V, 0.60 OHM TYP.,
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
STMicroelectronics
STMicroelectronics
制造商产品编号:
STW8N90K5
仓库库存编号:
497-17085-ND
描述:
N-CHANNEL 900 V, 0.60 OHM TYP.,
详细描述:
通孔 N 沟道 TO-247-3
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!
STW8N90K5产品属性
产品规格
封装/外壳
TO-247-3
制造商
STMicroelectronics
安装类型
通孔
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
系列
*
包装
管件
零件状态
在售
供应商器件封装
TO-247-3
技术
MOSFET(金属氧化物)
Vgs(最大值)
±30V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
FET 类型
N 沟道
FET 功能
电流感测
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
5V @ 100μA
漏源电压(Vdss)
900V
关键词
产品资料
数据列表
Power Management Guide Brochure
STW8N90K5
应用说明
Power MOSFET Avalanche Characteristics
Paralleling of Pwr MOSFETs in PFC Topology
Fishbone Diagram for Pwr Factor Correction
Avalanche Issue: Comparing IAR,EAS Parameters
标准包装
30
其它名称
497-17085
STW8N90K5您可能还对以下元器件感兴趣
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
STMicroelectronics
N-CHANNEL 800 V, 0.75 OHM TYP.,
详细描述:通孔 N 沟道 TO-247-3
型号:
STW7N90K5
仓库库存编号:
497-17081-ND
别名:497-17081
搜索
STW8N90K5相关搜索
封装/外壳 TO-247-3
STMicroelectronics 封装/外壳 TO-247-3
晶体管 - FET,MOSFET - 单 封装/外壳 TO-247-3
STMicroelectronics 晶体管 - FET,MOSFET - 单 封装/外壳 TO-247-3
制造商 STMicroelectronics
STMicroelectronics 制造商 STMicroelectronics
晶体管 - FET,MOSFET - 单 制造商 STMicroelectronics
STMicroelectronics 晶体管 - FET,MOSFET - 单 制造商 STMicroelectronics
安装类型 通孔
STMicroelectronics 安装类型 通孔
晶体管 - FET,MOSFET - 单 安装类型 通孔
STMicroelectronics 晶体管 - FET,MOSFET - 单 安装类型 通孔
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
STMicroelectronics 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
STMicroelectronics 晶体管 - FET,MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
系列 *
STMicroelectronics 系列 *
晶体管 - FET,MOSFET - 单 系列 *
STMicroelectronics 晶体管 - FET,MOSFET - 单 系列 *
包装 管件
STMicroelectronics 包装 管件
晶体管 - FET,MOSFET - 单 包装 管件
STMicroelectronics 晶体管 - FET,MOSFET - 单 包装 管件
零件状态 在售
STMicroelectronics 零件状态 在售
晶体管 - FET,MOSFET - 单 零件状态 在售
STMicroelectronics 晶体管 - FET,MOSFET - 单 零件状态 在售
供应商器件封装 TO-247-3
STMicroelectronics 供应商器件封装 TO-247-3
晶体管 - FET,MOSFET - 单 供应商器件封装 TO-247-3
STMicroelectronics 晶体管 - FET,MOSFET - 单 供应商器件封装 TO-247-3
技术 MOSFET(金属氧化物)
STMicroelectronics 技术 MOSFET(金属氧化物)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 技术 MOSFET(金属氧化物)
STMicroelectronics 晶体管 - FET,MOSFET - 单 技术 MOSFET(金属氧化物)
Vgs(最大值) ±30V
STMicroelectronics Vgs(最大值) ±30V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 Vgs(最大值) ±30V
STMicroelectronics 晶体管 - FET,MOSFET - 单 Vgs(最大值) ±30V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
STMicroelectronics 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
STMicroelectronics 晶体管 - FET,MOSFET - 单 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
FET 类型 N 沟道
STMicroelectronics FET 类型 N 沟道
晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 类型 N 沟道
STMicroelectronics 晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 类型 N 沟道
FET 功能 电流感测
STMicroelectronics FET 功能 电流感测
晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 功能 电流感测
STMicroelectronics 晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 功能 电流感测
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 5V @ 100μA
STMicroelectronics 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 5V @ 100μA
晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 5V @ 100μA
STMicroelectronics 晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 5V @ 100μA
漏源电压(Vdss) 900V
STMicroelectronics 漏源电压(Vdss) 900V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 900V
STMicroelectronics 晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 900V
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号