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产品规格

封装/外壳	TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
制造商	STMicroelectronics
安装类型	通孔
工作温度	150°C（TJ）
系列	-
包装	散装
零件状态	过期
供应商器件封装	TO-92-3
晶体管类型	PNP
不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）	100 @ 100mA，2V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	30V
Power - Max	900mW
电流 - 集电极截止（最大值）	10μA
Current - Collector (Ic) (Max)	3A
不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）	1.1V @ 150mA，3A
频率 - 跃迁	100MHz
关键词

产品资料

数据列表	STX826
标准包装	2,500

封装/外壳 TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）  STMicroelectronics 封装/外壳 TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 封装/外壳 TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）  STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 封装/外壳 TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）   制造商 STMicroelectronics  STMicroelectronics 制造商 STMicroelectronics  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 制造商 STMicroelectronics  STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 制造商 STMicroelectronics   安装类型 通孔  STMicroelectronics 安装类型 通孔  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 安装类型 通孔  STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 安装类型 通孔   工作温度 150°C（TJ）  STMicroelectronics 工作温度 150°C（TJ）  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 工作温度 150°C（TJ）  STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 工作温度 150°C（TJ）   系列 -  STMicroelectronics 系列 -  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 系列 -  STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 系列 -   包装 散装   STMicroelectronics 包装 散装   晶体管 - 双极 (BJT) - 单 包装 散装   STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 包装 散装    零件状态 过期  STMicroelectronics 零件状态 过期  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 零件状态 过期  STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 零件状态 过期   供应商器件封装 TO-92-3  STMicroelectronics 供应商器件封装 TO-92-3  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 供应商器件封装 TO-92-3  STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 供应商器件封装 TO-92-3   晶体管类型 PNP  STMicroelectronics 晶体管类型 PNP  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 晶体管类型 PNP  STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 晶体管类型 PNP   不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 100 @ 100mA，2V  STMicroelectronics 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 100 @ 100mA，2V  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 100 @ 100mA，2V  STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 100 @ 100mA，2V   Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 30V  STMicroelectronics Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 30V  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 30V  STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 30V   Power - Max 900mW  STMicroelectronics Power - Max 900mW  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Power - Max 900mW  STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Power - Max 900mW   电流 - 集电极截止（最大值） 10μA  STMicroelectronics 电流 - 集电极截止（最大值） 10μA  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 电流 - 集电极截止（最大值） 10μA  STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 电流 - 集电极截止（最大值） 10μA   Current - Collector (Ic) (Max) 3A  STMicroelectronics Current - Collector (Ic) (Max) 3A  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 3A  STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 3A   不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 1.1V @ 150mA，3A  STMicroelectronics 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 1.1V @ 150mA，3A  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 1.1V @ 150mA，3A  STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 1.1V @ 150mA，3A   频率 - 跃迁 100MHz  STMicroelectronics 频率 - 跃迁 100MHz  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 频率 - 跃迁 100MHz  STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 频率 - 跃迁 100MHz