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产品规格

封装/外壳	16-PowerDIP（0.300"，7.62mm）
制造商	STMicroelectronics
安装类型	通孔
工作温度	-20°C ~ 85°C（TA）
系列	-
包装	管件
零件状态	在售
供应商器件封装	16-PowerDIP（20x7.10）
晶体管类型	4 NPN 达林顿（双）
不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）	-
电流 - 集电极截止（最大值）	-
不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）	1.5V @ 2.25mA，1.5A
频率 - 跃迁	-
功率 - 最大值	1W
电流 - 集电极（Ic）（最大值）	1.75A
电压 - 集射极击穿（最大值）	80V
关键词

产品资料

数据列表	ULN20xxB
其它有关文件	ULN2067B View All Specifications
标准包装	25
其它名称	497-2350-5

封装/外壳 16-PowerDIP（0.300"，7.62mm）  STMicroelectronics 封装/外壳 16-PowerDIP（0.300"，7.62mm）  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 封装/外壳 16-PowerDIP（0.300"，7.62mm）  STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 封装/外壳 16-PowerDIP（0.300"，7.62mm）   制造商 STMicroelectronics  STMicroelectronics 制造商 STMicroelectronics  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 制造商 STMicroelectronics  STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 制造商 STMicroelectronics   安装类型 通孔  STMicroelectronics 安装类型 通孔  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 安装类型 通孔  STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 安装类型 通孔   工作温度 -20°C ~ 85°C（TA）  STMicroelectronics 工作温度 -20°C ~ 85°C（TA）  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 工作温度 -20°C ~ 85°C（TA）  STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 工作温度 -20°C ~ 85°C（TA）   系列 -  STMicroelectronics 系列 -  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 系列 -  STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 系列 -   包装 管件   STMicroelectronics 包装 管件   晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 包装 管件   STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 包装 管件    零件状态 在售  STMicroelectronics 零件状态 在售  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 零件状态 在售  STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 零件状态 在售   供应商器件封装 16-PowerDIP（20x7.10）  STMicroelectronics 供应商器件封装 16-PowerDIP（20x7.10）  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 供应商器件封装 16-PowerDIP（20x7.10）  STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 供应商器件封装 16-PowerDIP（20x7.10）   晶体管类型 4 NPN 达林顿（双）  STMicroelectronics 晶体管类型 4 NPN 达林顿（双）  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 晶体管类型 4 NPN 达林顿（双）  STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 晶体管类型 4 NPN 达林顿（双）   不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） -  STMicroelectronics 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） -  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） -  STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） -   电流 - 集电极截止（最大值） -  STMicroelectronics 电流 - 集电极截止（最大值） -  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 电流 - 集电极截止（最大值） -  STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 电流 - 集电极截止（最大值） -   不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 1.5V @ 2.25mA，1.5A  STMicroelectronics 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 1.5V @ 2.25mA，1.5A  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 1.5V @ 2.25mA，1.5A  STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 1.5V @ 2.25mA，1.5A   频率 - 跃迁 -  STMicroelectronics 频率 - 跃迁 -  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 频率 - 跃迁 -  STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 频率 - 跃迁 -   功率 - 最大值 1W  STMicroelectronics 功率 - 最大值 1W  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 功率 - 最大值 1W  STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 功率 - 最大值 1W   电流 - 集电极（Ic）（最大值） 1.75A  STMicroelectronics 电流 - 集电极（Ic）（最大值） 1.75A  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 电流 - 集电极（Ic）（最大值） 1.75A  STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 电流 - 集电极（Ic）（最大值） 1.75A   电压 - 集射极击穿（最大值） 80V  STMicroelectronics 电压 - 集射极击穿（最大值） 80V  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 电压 - 集射极击穿（最大值） 80V  STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 电压 - 集射极击穿（最大值） 80V